Введение
Глава 1. Обзор литературы 8
1.1. Принципы работы полевых транзисторов 8
1.2. Описание использованных методов и подходов 12
Теория функционала плотности 12
Поиск переходного состояния: метод упругой ленты 19
Метод молекулярной динамики 20
Расчет электрических свойств контакта 21
Глава 2. Моделирование окислительно-восстановительных процессов в пограничном слое на примере контакта Pt/HfO2 24
2.1. Введение 24
2.2. Детали расчета 26
2.3. Структура и свойства пограничного слоя Pt/HfO2 31
2.4. Зависимость состава пограничного слоя Pt/HfO2 и его электрических характеристик от парциального давления кислорода 34
2.5. Заключение 39
Глава 3. Исследование строения пограничного слоя между HfO2 и биметаллическими сплавами 41
3.1. Введение 41
3.2. Детали расчетов 43
3.3. Свойства поверхностей сплавов 45
3.4. Межатомные взаимодействия в пограничных слоях металл/HfO2 48
3.5. Структура пограничного слоя сплав/HfO2 49
3.6. Заключение 53
Глава 4. Моделирование кинетики окисления SiC 55
4.1. Введение 55
4.2. Методы расчета 59
4.3. Элементарные реакции окисления SiC и генерации углеродных дефектов 60
Диффузионный барьер для кислорода на границе SiC/SiO2 60
Элементарные реакции окисления карбида кремния 62
4.4. Реакции пассивации углеродных дефектов 65
Пассивация углеродных дефектов кислородом 65
Пассивация углеродных дефектов с помощью NO 66
Пассивация углеродных дефектов с помощью H2 67
Кинетические ограничения пассивации углеродных дефектов 68
4.5. Моделирование процесса окисления SiC(0001) 70
Кинетический механизм окисления SiC(0001) 70
Компьютерное моделирование окисления SiC 74
Результаты моделирования окисления карбида кремния 75
4.6. Заключение 79
Основные результаты и выводы 80
Список сокращений и условных обозначений 81
Список литературы
