Введение
Глава 1. Обзор литературы 12
1.1. Методы описания рельефа поверхности кристалла 12
1.2. Методы получения гладких поверхностей полупроводников 17
1.3. Теория и модели термического выглаживания поверхности 26
1.4. Микроскопические параметры массопереноса на поверхности GaAs(001) 31
1.5. Термическое разупорядочение рельефа поверхности 37
Постановка задачи 41
Глава 2. Методика 44
2.1. Методика термического выглаживания поверхности GaAs 44
2.2. Моделирование рельефа исходной шероховатой поверхности 45
2.3. Метод моделирования Монте-Карло и параметры модели 47
Глава 3. Моделирование термического выглаживания поверхности 50
3.1. Кинетика выглаживания шероховатой поверхности 50
3.2. Определение параметров модели для поверхности GaAs(001) 52
3.3. Учет разницы масштабов в моделировании и эксперименте 55
3.4. Учет массопереноса через газовую фазу 56
3.5. Сравнение параметров модели выглаживания поверхности GaAs(001) с литературными данными 59
3.6. Определение отклонения условий отжига GaAs от равновесия 61
3.7. Уточнение параметров модели 64
Результаты и выводы к главе 3 65
Глава 4. Анизотропия рельефа и особенности оствальдовского созревания в процессе формирования ступенчато-террасированной поверхности 66
4.1. Пространственное разделение островков и озёр на террасах 66
4.2. Кристаллографическая и вицинальная анизотропия рельефа 68
4.3. Особенности оствальдовского созревания на ступенчато-террасированной поверхности 79
Результаты и выводы к главе 4 81
Глава 5. Разупорядочение рельефа (“огрубление”) поверхности 83
5.1. Экспериментальные результаты по разупорядочению рельефа поверхности GaAs(001) 83
5.2. Моделирование кинетического разупорядочения 86
5.3. Особенности огрубления поверхности с разной шириной террас 90
5.4. Оптимизация условий термического выглаживания GaAs(001) 93
Результаты и выводы к главе 5 96
Заключение 98
Публикации по теме работы 101
Литература 104
