Введение
ГЛАВА 1 Роль поверхностного потенциального поля монокристалла в фокусировке атомов, распыленных с поверхности монокристалла 15
1. Модели фокусировки эмитированных атомов 15
1.1.1. Исторический обзор 15
1.1.2. Сравнение теоретических и экспериментальных данных о положении пятен Венера 16
1.1.3. Различные подходы к учету влияния поверхностного поля на процесс распыления 17
2. Расчет конфигурации поля у поверхности грани (001) моно кристалла Ni 22
1.2.1. Модель расчета 22
1.2.2. Анализ конфигурации эквипотенциалей 22
3. Расчеты эмиссии атомов с поверхности грани (001) моно кристалла Ni в направлениях, близких к нормали к поверхности 28
1.3.1. Модель расчета 28
1.3.2. Результаты расчетов 29
1.3.2.1. Дефокусировка эмитированных атомов от нормали к поверхности 29
1.3.2.2 Влияние магнитного фазового перехода на направление движения эмитированных атомов 30
4. Сравнение статической и динамической моделей эмиссии атомов из узла кристаллической решетки 37
ГЛАВА 2 Расчет вероятности отражения электронных и атомных потоков от поверхностного потенциального барьера ... 42
1. Обзор литературы 42
2.1.1. Области применимости классической и квантовой механики 42
2.1.2. Использование квантово-механических теорий при описании эмиссии электронов и ионов 43
2. Выбор вида потенциального поля на границе твердое тело — вакуум 45
3. Постановка задачи 46
4. Анализ коэффициента прохождения через барьер для частных случаев 50
5. Осцилляции коэффициента отражения электронных потоков и атомов за счет поверхностного потенциального поля 52
ГЛАВА 3 Распыление двухкомпонентных мишеней ... 59
1. Обзор литературы 59
3.1.1. Основные теоретические формулы для оценки преимущественного распыления 59
3.1.2. Обзор экспериментальных результатов. Роль соотношения масс и энергий связи атомов компонент мишени в преимущественном распылении 56
3.1.3. Влияние на преимущественное распыление характеристик бомбардирующих ионов (экспериментальные данные) 61
3.1.4. Обзор результатов моделирования 62
3.1.5. Распьшение изотопов и виртуальные модели распыления. 63
3.1.6. Влияние пространственной структуры мишени на преимущественное распыление 63
2. Алгоритм моделирования многочастичного взаимодействия.. 65
3. Моделирование распыления тыльной поверхности ультра тонкой пленки виртуальных кристаллов: ванадия и кремния со структурой С40 67
3.3.1. Модель расчета 67
3.3.2. Прохождение ионов криптона через пленки 68
3.3.3. Распыление атомов компонент тыльной поверхности мишени 70
4. Распыление монокристаллического и аморфного дисилицида ванадия 78
3.4.1. Постановка задачи 79
3.4.2. Модель расчета 79
3.4.3. Коэффициенты распыления атомов компонент 80
3.4.4. Энергетические спектры распыленных атомов 82
Заключение 83
Основные результаты и выводы 84
Литература 89
