Введение
Глава 1. Обзор литературы 8
1.1. Перспективы развития микроэлектронных устройств 8
1.2. Физические принципы уменьшения диэлектрической постоянной 8
1.3. Классификация low-k материалов 11
1.4. Методы производства low-k материалов 13
1.5. Методы диагностики low-k материалов 17
1.6. Свойства low-k материалов 24
1.7. Модификация low-k материалов в технологических процессах 29
CLASS Глава 2. Материалы и методы исследования 3 CLASS 5
2.1. Исследуемые low-k материалы 35
2.2. Экспериментальные установки 37
2.2.1. Установка для обработки low-k пленок атомами кислорода и водорода 37
2.2.2. Установка для гелиевой предобработки low-k пленок 38
2.3. Методы объемной и поверхностной диагностики low-k пленок 40
2.4. Система актинометрической диагностики 42
2.5. Метод измерения вероятности гибели атомов О и Н на поверхности low-k пленок 50
2.6. Система зондовой диагностики 52
Глава 3. Механизм модификации SiOCH low-k пленки атомами кислорода 56
3.1. Введение 56
3.2. Результаты эксперимента 57
3.3. Монте-Карло модель проникновения атомов кислорода в нанопористую SiOCH пленку. Удаление метильных групп атомами О 63
3.4. Выводы 74
Глава 4. Влияние гелиевой предобработки на взаимодействие low-k материалов с атомами кислорода и водорода 77
4.1. Введение 77
4.2. Влияние предобработки на взаимодействие low-k пленок с атомами кислорода и водорода 78
4.3. Измерение вероятности гибели атомов кислорода и водорода на low-k пленках 85
4.4. Механизм запечатывания пор 88
4.5. Выводы 90
Заключение 92
Литература 95
