Введение
1 Твердые растворы CdxHgj.xTe и методы их получения.
1.1 Свойства материала КРТ и возможности его использования для создания фотоприемных приборов ИК диапазона 16
1.2 Современные тенденции развития фотоприемных устройств 25
1.3 Методы получения материала, возможности и ограничения 29
1.4 Возможности метода МЛЭ, его особенности и современное состояние 32
1.5 Выводы к главе и постановка задачи 38
2 Технологическое оборудование и используемые методы контроля за параметрами технологического процесса
2.1 Промышленно ориентированная установка "Обь-М" 40
2.1.1 Принцип построения и оснащение ростовых камер 40
2.1.2 Конструкция технологического блока 45
2.2 Автоматизированная система управления технологическим процессом 53
2.3 Методика и возможности эллипсометрического контроля за параметрами технологического процесса 58
2.3.1 Основные положения метода эллипсометрии 58
2.3.2 Влияние температуры и подложіси и рельефа поверхности на изменение эллипсометрических параметров 62
2.3.3 Возможности метода эллипсометрии для контроля состава эпитаксиальных пленок КРТ в процессе роста 63
2.4 Поляризационный пирометр и возможность бесконтактного контроля температуры подложки в процессе роста 68
2.5 Выводы к главе 72
3 Поверхностные процессы при мо лекулярно- лучевой эпитаксии CdTe
3.1 Термодинамический анализ МЛЭ CdTe 75
3.2 Процессы в адсорбционном слое при МЛЭ CdTe 79
3.2.1 Энергетика поверхностных процессов 80
3.2.2 Экспериментальное исследование процессов в адсорбционном слое на поверхности CdTe 84
3.3 Состав паровой фазы на поверхности подложки 90
3.3.1 Равновесный случай 93
3.3.2 Неравновесный случай 94
3.3.3 Случай термического травления 95
3.3.4 Расчет состава паровой фазы на поверхности 97
3.4 Скорости сублимации и роста CdTe 101
3.5 Выводы к главе 105
4 Экспериментальное исследование процессов роста буферных слоев и КРТ на подложках GaAs с использованием эллипсометрии in situ
4.1 Предэпитаксиальная подготовка подложек 107
4.1.1 Химическое травление подложек 107
4.1.2 Исследование термической очистки подложек 109
4.2 Рост буферных слоев теллурида цинка и теллурида кадмия
4.2.1 Эпитаксиальный рост теллурида цинка на подложках GaAs 114
4.2.2 Эпитаксиальный рост теллурида кадмия 118
4.3 Рост КРТ
4.3.1 Рост КРТ постоянного состава и с плавно изменяющимся градиентом состава 126
4.3.2 Возможность выращивания КРТ в виде потенциальных барьеров и ям с прецизионным контролем, как толщины, так и состава растущего слоя 130
4.3.3 Возможность самопроизвольного формирования вертикальной периодической наноструктуры с модулированным составом в пленках CdxHgi-xTe 137
4.4 Выводы к главе 145
5 Связь ростовых условий с электрофизическими параметрами КРТ и реализация приборных структур
5.1 Влияние варизоиных структур на время жизни неосновных носителей заряда 148
5.2 Оптимизация условий роста КРТ с использованием метода многофакторного анализа 149
5.3 Влияние антиструктурного теллура на концентрацию электронов в ГЭС КРТ МЛЭ 159
5.4 Реализация линеек фотосопротивлений и матричных фотоприемных структур 168
5.5 Выводы к главе 174
Основные положения и результаты (выводы) 177
Литература 179
