Введение
ГЛАВА 1. Лазерные гетероструктуры среднего ик-диапазона, гетеровалентные интерфейсы (особенности получения и конструирования)
1.1. Краткая характеристика узкозонных соединений А3В5 с параметром кристаллической решетки близким к InAs 11
1.2. Лазерные гетероструктуры среднего ИК-диапазона на основе антимонидов металлов Ш-группы 19
1.3. Гетероэпитаксия соединений А2В6 на подложках А3В3 и особенности формирования гетеровалентных интерфейсов 25
ГЛАВА 2. Аппаратное обеспечение молекулярно-пучковой эпитаксии и методы диагностики гетероструктур
2.1. Основные принщшы и аппаратное обеспечение молекулярно-пучковой эпитаксии 36
2.2. Методы in situ и ex situ диагностики 42
ГЛАВА 3. Свойства mAs/CdSe/M&Cdi^e гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
3.1. Свойства твердого раствора MgtCdi^Se кубической модификации 46
3.2. Молекулярно-пучковая элитаксия твердого раствора MgrCdj.Se на подложках InAs (001) 51
3.3. Выращивание слоев M&Cdi-jSe методом эпитаксии с повышенной миграцией атомов на поверхности 60
3.4. Оптические, структурные и электрические свойства слабо напряженных гетероструктур CdSe/ MgrCdi xSe 63
ГЛАВА 4. Особенности формирования и свойства гетеровалентного интерфейса InAs/A2B6
4.1. Формирование гетеровалентного интерфейса InAs/A В 74
4.2. Гибридные гетероструктуры с гетеровалентным InAs/A2B6 интерфейсом . 84
4.3. Электронные свойства гетеровалентного интерфейса InAs/A2B6 93
ГЛАВА 5. Гибридные AlIGau*As>Sbi >/InAs/MgrCdi ISe гетероструктуры для лазеров среднего ик диапазона
5.1. Концепция лазерной гетероструктуры с асимметричными барьерами. 98
5.2 Структурные и оптические свойства гибридных лазерных AlxGai^As^bi.^biAs/MgrCdi-tSe гетероструктур, выращенных методом двухстадийной молекулярно-пучковой эпитаксии 102
5.3. Исследование свойств спонтанного и лазерного излучения гибридных гетероструктур Al^Gai.^As^Sbi.ybiAs/MgrCdi-xSe лазерных диодов. 111
Заключение 117
Цитируемая литература 119
