Введение
Глава 1. Формирование пленок и наноструктур на пористых и кристаллических подложках 15
1.1. Формирование и свойства слоев пористого кремния 15
1.2. Получение полупроводниковых пленок на буферных слоях пористого кремния 18
1.3. Методы формирования наноструктур на поверхности твердых тел 21
1.3.1. Методы "bottom-up" 21
1.3.2. Методы "top-down" 27
1.4. Свойства и практическое применение полупроводников А4В6 и наноструктур на их основе 31
1.5. Выводы 34
Глава 2. Характеристика образцов и методика проведения эксперимента 36
2.1. Методика формирования слоев пористого кремния 36
2.2. Формирование структур с буферными слоями пористого кремния 37
2.3. Формирование эпитаксиальных пленок А4В6 на монокристаллическом кремнии 40
2.4. Методика плазменной обработки поверхности образцов 41
2.5. Атомно-силовая микроскопия как метод исследования морфологии поверхности 44
Глава 3. Морфологические свойства пленок А4В6, А1, ХСП на подложках монокристаллического и пористого кремния 49
3.1. Морфология пленок А4В6 49
3.1.1. Морфология поверхности пленок А4В6 на пористом кремнии ...49
3.1.2. Морфология поверхности пленок А4В6 на CaF2/Si(l 11) 51
3.2. Морфология поверхности алюминиевой металлизации на пористом кремнии 56
3.2.1. Морфология пленок А1 на подложках мезопористого кремния...57
3.2.2. Морфология пленок А1 на подложках макропористого кремния и ее модификация в ходе высокотемпературного отжига 59
3.3. Морфология пленок ХСП на пористом кремнии 68
3.4. Выводы 71
Глава 4. Морфология поверхности пленок А4В6 после плазменной обработки 73
4.1. Морфология поверхности пленок А4В6 на подложках пористого кремния после обработки в аргоновой плазме 73
4.2. Формирование микро- и наноструктур на поверхности эпитаксиальных пленок А4Вб на подложках монокристаллического кремния в ходе обработки в аргоновой плазме 74
4.3. Зависимость морфологии поверхности эпитаксиальных пленок А4В6 от энергии ионов плазмы 80
4.4. Эволюция рельефа пленок А4В6 при увеличении длительности обработки 86
4.5. Модель микромаскирования при формировании микровыступов 89
4.6. Выводы 98
Глава 5. Формирование наноструктур А4В6 на подложках Si по методу "top-down" 99
5.1. Зависимость параметров нановыступов на поверхности A4B6/CaF2/Si(l 11) от режимов обработки в аргоновой плазме 99
5.2. Свойства массивов нановыступов на поверхности A4B6/CaF2/Si(lll) 103
5.3. Выводы 105
Основные результаты работы 107
Список использованных источников 109
