Введение
Глава 1. Анализ диффузионных процессов 28
1.1. Аналогия в описании процессов диффузионного типа 28
1.2. Постановка задачи 29
1.3. Динамика диффузионных процессов 32
1.4. Критерий времени установления стационарного распределения и глубины проникновения примеси 54
1.5. Результаты и выводы 65
Глава 2. Времена установления концентрации примеси в неоднородной структуре с переменным во времени коэффициентом диффузии 66
2.1. Времена установления концентрации примеси в неоднородной структуре с постоянным во времени коэффициентом диффузии 66
2.1.1. Представление времён установления с помощью рядов Фурье. Случай слабо неоднородной структуры 66
2.1.2. Вычисление времён установления с помощью преобразования Лапласа. Случай слабо неоднородной структуры 69
2.1.3. Примеры расчёта поправок к временам установления 74
2.1.4. Спектральный метод расчёта времени установления 78
2.1.5. Оптимизация пространственной структуры коэффициента диффузии 81
2.1.6. Времена установления концентрации примеси без ограничений на величину изменений коэффициента диффузии в пространстве 84
2.2. Времена установления концентрации примеси в однородной структуре с переменным во времени коэффициентом диффузии 89
2.2.1. Времена установления концентрации примеси в случае слабых изменений коэффициента диффузии во времени 89
2.2.2. Времена установления концентрации примеси без ограничений на величину изменений коэффициента диффузии во времени 99
2.3. Времена установления концентрации примеси в слабо неоднородной структуре с переменным во времени коэффициентом диффузии 102
2.4. Результаты и выводы 115
Глава 3. Некоторые радиационные эффекты в твёрдых телах 117
3.1. Динамика точечных радиационных дефектов в арсениде галлия с учётом пространственных и временных изменений коэффициента диффузии 118
3.1.1. Описание модели распространения дефектов 119
3.1.2. Динамика изменений температурного поля 121
3.1.3. Анализ динамики распространения дефектов 124
3.2. Расчёт эволюции кластеров радиационных дефектов в кремниис учётом диффузии и некоторых вторичных процессов, образовавшихся в результате ионной имплантации 128
3.2.1. Модель распространения дефектов 128
3.2.2. Расчёт и анализ распределения дефектов 131
3.3. Результаты и выводы 149
Глава 4. Динамика примеси в процессе легирования неоднородных материалов при формировании диодных и транзисторных структур 150
4.1. Динамика формирования p-n-перехода при формировании диффузионного p-n-перехода 150
4.1.1 Описание легируемой структуры 151
4.1.2 Случай неоднородного коэффициента диффузии 153
4.1.3. Оптимизация времени отжига 162
4.1.4 Динамика примеси в неоднородной структуре с учётом времен-
ной и концентрационной зависимости коэффициента диффузии 169
4.1.5. Распределение примеси в многослойной структуре с двухмате-
риальным эпитаксиальным слоем 180
4.2. Динамика перераспределения имплантированной в многослойную
структуру примеси в процессе отжига радиационных дефектов 185
4.2.1 Описание легируемой структуры 185
4.2.2 Динамика имплантированной примеси в процессе отжига радиационных дефектов 186
4.3. Применение внешних покровных слоёв для уменьшения глубины имплантационного p-n-перехода 195
4.3.1 Описание легируемой структуры 196
4.3.2 Динамика имплантированной примеси в процессе отжига радиационных дефектов 196
4.4. Перераспределение имплантированной в многослойную структуру примеси при лазерном отжиге радиационных дефектов 203
4.4.1. Импульсный отжиг 203
4.4.1.1. Описание легируемой структуры 203
4.4.1.2. Методика анализа 204
4.4.1.3. Результаты анализа 215
4.4.2. Сканирующий отжиг 217
4.4.2.1. Описание легируемой структуры 217
4.4.2.2. Методика анализа 219
4.4.2.3. Результаты анализа 238
4.5. Перераспределение примеси в многослойной структуре при формировании p-n-переходов с использованием микроволнового отжига 241
4.5.1. Описание легируемой структуры 242
4.5.2. Методика анализа 243
4.5.3. Результаты анализа 452
4.6. Изменение формы распределения дельта-распределения примеси в процессе её заращивания 455
4.6.1. Методика анализа 256
4.6.2. Результаты анализа 262
4.7. Распределение примеси в многослойной структуре при формировании транзисторных структур (встречное распространение примеси) 267
4.7.1. Методика анализа 268
4.7.2. Результаты анализа 281
4.8. Распределение примеси в многослойной структуре при формировании транзисторных структур (расплывание примеси) 285
4.8.1. Методика анализа 285
4.8.2. Результаты анализа 286 4.9. Заключение 288
Глава 5. Тепловые нагрузки рентгеновских трубок 290
5.1. Тепловые нагрузки рентгеновских трубок с неподвижным анодом при длительных выдержках 290
5.1.1. Модель теплопереноса 290
5.1.2. Структура температурного поля 293
5.1.3. Предельная мощность 296
5.2. Тепловые нагрузки рентгеновских трубок с вращающимся анодом в импульсном режиме 298
5.2.1. Модель теплопереноса 299
5.2.2. Методика анализа 304
5.2.3. Предельная мощность 307
5.3. Результаты и выводы 310
Заключение 311
Список литературы
