Введение
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Обращение волнового фронта оптического излучения: Основные понятия и свойства 9
1.2. Методы ОВФ в нелинейных средах. Вырожденное четырехволновое взаимодействие 14
1.3. Механизмы нелинейного взаимодействия и среды для ОВФ ЧВ на длине волны 10,6 мкм 19
1.3.I Механизм нелинейности третьего порядка связанной с ангармоничностью колебаний осциллятора ZZ
1.3.I.I Ангармонизм движения связанных электронов в полупроводниках 22
1.3.1.2. Ангармонизм колебательного движения в моле кулярных газах 26
1.3.2. Нелинейная восприимчивость свободных носителей в полупроводниках. 27
1.3.3. Генерация свободных носителей 31
1.3.4. Эффекты насыщения 35
ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТРАЖЕНИЯ ПРИ ЧВ ИЗЛУЧЕНИЯ ИМПУЛЬСНОГО С02-ЛАЗЕРА 45
2.1. Импульсный одномодовый одночастотный лазер 46
2.2. Приборы и методы измерения параметров излучения импульсных COg- лазеров 53
2.3. Исследование характеристик одномодового одночас- *
тотного импульсного COg- лазера 60
2.4. Экспериментальная установка для исследования отражения при ЧВ и методика измерения эффективности отражения 67
2.5. Исследование отражения при ЧВ в (? II
ГЛАВА III. ОТРАЖЕНИЕ ПРИ ЧВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. 75
3.1. Вклад теплового механизма нелинейности в отражение при ЧВ в полупроводниках 75
3.1.1. Расчет вклада теплового механизма нелинейности в эффективность отражения при ЧВ 75
3.1.2. Экспериментальные результаты 81
3.2. Исследование отражения при ЧВ в InHs, InS6 и Ga$& S5
3.2.1. Измерение коэффициента линейного поглощения..... 85
3.2.2. Измерение порога разрушения 88
3.2.3. Измерения констант нелинейного поглощения в InS6*Info 93
3.2.4. Расчет эффективности отражения при ЧВ с учетом линейного и нелинейного поглощения 99
3.2.5. Зависимость /І от - в образцах при комнатной температуре 101
3.2.6. Влияние температуры на fC при ЧВ в узкозонных полупроводниках I0S
3.3. Нелинейная восприимчивость третьего порядка Y
в Inh жІҐіЬе 118
ГЛАВА ІV. ИССЛЕДОВАНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ПРИ ЧВ В РЕЗОНАНСНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ГАШ 126
4.1. Механизмы нелинейности при ЧВ в молекулярных газах 127
4.1.1. Исследование отражения при ЧВ в BCL 128
4.1.2. Исследование отражения ЧВ вSP ...Г35
4.2. Отражение в SB при нестационарном 41 138
4.3. Отражение в S при стационарном ЧВ 142
ПРИЛОЖЕНИЕ. Температурная зависимость показателя преломления в полупроводниках. 159
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ І6Г
ЛИТЕРАТУРА 163
