Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием

Манцевич Владимир Николаевич. Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием: диссертация ... доктора физико-математических наук: 01.04.10 / Манцевич Владимир Николаевич;[Место защиты: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова"], 2014.- 337 с.
Автор
Манцевич Владимир Николаевич
Год
2014
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Литературный обзор 29
1.1 Низкочастотная составляющая спектральной плотности туннельного тока вида 1/fa 29
1.2 Особенности локальной плотности состояний в окрестности при месных атомов и дефектов поверхности 37
1.3 Интерференционные эффекты при туннелировании через локализованные состояния. Эффект Фано 44
1.4 Роль кулоновских корреляций при туннелировании через связанные квантовые точки 50
1.5 Электронные квантовые насосы 61
1.6 Нестационарные эффекты в наноструктурах. Релаксация заряда в квантовых точках 65
1.7 Выводы 74
Глава 2. Исследование пространственого распределения локальной туннельной проводимости на поверхности по лупроводниковых кристаллов в присутствии кулонов ских корреляций локализованных электронов 78
2.1 Пространственное распределение электронной плотности состояний вблизи примесных атомов на поверхности полупроводников79
2.2 Особенности туннельных спектров в окрестности примесных ато мов 89
2.3 Интерференционные эффекты при туннелировании через лока лизованные состояния. Эффект Фано 92
2.4 Эффект Фано при наличии кулоновского взаимодействия лока лизованных на примеси электронов 95
2.5 Влияние перенормировки туннельных матричных элементов за счет кулоновского взаимодействия на локальную туннельную проводимость 106
2.6 Влияние потенциала доменной стенки, на локальную плотность поверхностных состояний 110
2.7 Выводы 116
Глава 3. Теоретическое исследование спектральной плотности туннельного тока в широком диапазоне частот при туннелировании через зарядовые локализованные состояния 118
3.1 Формирование низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании электронов через одно зарядовое локализованное состояние 118
3.2 Формирование низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через два зарядовых локализованных состояния 128
3.3 Формирование высокочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через зарядовые локализованные состояния 144
3.4 Сдвиг низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока в высокочастотную область при туннелировании через зарядовые локализованные состояния 151
3.5 Выводы 160
Глава 4. Кулоновские корреляции при туннелировании через примесные комплексы и систему сильно связанных квантовых точек 163
4.1 Основные кинетические уравнения для неравновесной электронной плотности в системе с двумя уровнями энергии 163
4.2 Туннельные характеристики двухуровневой системы в приближении, учитывающем средние значения электронных чисел заполнения и парные корреляционные функции локализованных электронов 170
4.3 Туннельные характеристики двухуровневой системы в приближении, учитывающем средние значения электронных чисел заполнения и корреляционные функции локализованных электронов всех порядков 181
4.4 Зарядовые и спиновые конфигурации в связанных квантовых точках, индуцированные протеканием туннельного тока 194
4.5 Выводы 207
Глава 5. Релаксация заряда в системе связанных квантовых то чек в отсутствии кулоновских корреляций 211
5.1 Нестационарные процессы в одиночной квантовой точке, взаимодействующей с состояниями непрерывного спектра резервуара 212
5.2 Нестационарные процессы в связанных квантовых точках, взаимодействующих с состояниями непрерывного спектра резервуара 215
5.3 Модель неадиабатического электронного зарядового насоса на основе связанных квантовых точек 222
5.4 Выводы 234
Глава 6. Роль межчастичного взаимодействия при релаксации заряда в системе связанных квантовых точек 237
6.1 Нестационарные туннельные процессы в связанных квантовых точках, взаимодействующих с резервуаром, при наличии кулоновского взаимодействия 237
6.2 Особенности бифуркационного режима релаксации заряда в связанных квантовых точках 248
6.3 Пленение заряда в системе связанных квантовых точек, взаимодействующих с резервуаром 255
6.4 Особенности релаксации заряда в связанных квантовых точках, вызванные наличием электрон-фононного взаимодействия 269
6.5 Выводы 279
Глава 7. Нестационарные эффекты в связанных квантовых точках с кулоновскими корреляциями 282
7.1 Особенности релаксации заряда в связанных квантовых точках с учетом кулоновских корреляций локализованных электронов 282
7.2 Аналитическое решение задачи о временной эволюции чисел заполнения в системе связанных квантовых точек с кулоновскими корреляциями, взаимодействующих с состояниями непрерывного спектра резервуара 287
7.3 Временная эволюция электронных чисел заполнения в связанных квантовых точках 294
7.4 Выводы 303
Заключение 304
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Винниченко, Максим Яковлевич
Количество страниц
Год
2013
99 000 UZS
Автор
Емельянов, Андрей Вячеславович
Количество страниц
Год
2013
99 000 UZS
Автор
Каневский, Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2013
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3