Введение
Глава 1. Обзор неразрушающих методов и средств определения основных электрофизических параметров полупроводников 18
1.1. Методики и датчики для определения величины удельного сопротивления 19
1.2. Определение времени жизни неосновных носителей заряда 24
1.3. Структура и электрофизические свойства мультикристаллического кремния 32
1.4. Автодинные датчики с элементами микромеханики 34
1.5. Анализ режимов работы автодинных датчиков
1.5.1. Непрерывный режим работы автодина 45
1.5.2. Автодины с линейной частотной модуляцией 46
1.5.3. Автодины с синусоидальной частотной модуляцией 47
1.5.4. Автодины с импульсной модуляцией 48
Глава 2. Физико-математические модели фотоэлектрических модулей 49
2.1. Электроперенос в ФЭП 50
2.2. Вольтамперная характеристика 53
2.3. Спектральные характеристики 54
2.4. Коэффициент поглощения 56
2.5. Коэффициент отражения 57
2.6. Нахождение тока короткого замыкания
2.6.1. Неосновные носители заряда в п-области 59
2.6.2. Неосновные носители заряда в р-области
2.7. Эквивалентная схема ФЭП 62
2.8. Влияние планарной неоднородности ФЭП на его эффективность
2.8.1. Модель планарно неоднородного ФЭП 68
2.8.2. Подложечная составляющая 69
2.8.3. Технологическая составляющая 72
2.9. Электроперенос в локально освещенных ФЭП 75
2.9.1. Точечный источник засветки в бесконечном р-n переходе 75
2.9.2. ВАХ при малом уровне сигнала 78
2.9.3. Фотоэффект в р-n переходе, работающий в режиме насыщения 80
2.10. Модели, применяемые для оценки вырабатываемой мощности 81
2.10.1. Модель КПД 81
2.10.2. Модель поправочных коэффициентов 82
2.10.3. Физическая модель 83
2.10.4. Статистическая модель 83
Глава 3. Методы неразрушающего контроля параметров структурно-неоднородного материала 86
3.1. Методика неразрушающего СВЧ-контроля 86
3.2. Установки, используемые при исследованиях неразрушающих методов контроля структурно-неоднородных материалов 91
3.3. Технические решения по структуре включения образца в СВЧ-поле датчиков-зондов 93
3.3.1. Коаксиальные датчики 95
3.3.2. Автодинные датчики 96
3.4. Описание настройки автодинных датчиков для измерения параметров кремния -. 99
3.5. Бесконтактное измерение основных параметров мультикремния 103
3.6. Установка визуализации места дефектов в солнечных элементах 106
3.7. Анализ точности контроля полупроводниковых материалов
автодинным датчиком 108
3.8. Исследование многослойных эпитаксиальных структур 113
Глава 4. Методологичекие основы получения и исследования ФЭП 127
4.1. Технология изготовления ФЭП и ФМ 127
4.2. Методики и оборудование исследования кремния, ФЭП и ФМ... 140
4.3. Аппаратура и методика исследования планарной неоднородности ФЭП 144
Глава 5. Неразрушающий контроль технологических и конструкционных факторов ФЭП 146
5.1. Исследование влияния конструктивных факторов на эффективность ФЭП 146
5.2. Экспериментальное исследование планарной неоднородности фоточувствительности ФЭП 150
5.3. Приборы и методы исследований 157
5.4. Комплекс параметров, влияющих на работу ФМ 168
Глава 6. Анализ натурных испытаний фм и статистической модели прогнозирования 172
6.1. Структура мобильной станции мониторинга работы ФМ 172
6.2. Программа управления мобильной станцией 176
6.3. Объекты исследования и места проведения испытаний 179
6.4. Описание базы данных 180
6.5. Результаты работы мобильной станции 181
6.6. Определение приходящей солнечной радиации на поверхность ФМ 186
6.7. Построение эмпирической модели 187
6.8. Нахождение температуры ФМ 192
6.9. Расчет мощности ФМ 1 6.10. Уравнения регрессии 200
6.11. Методика прогнозирования 203
7. Заключение 205
Литература
