Введение
II. Обзор литературы 13
1. Комплексы цинка(П) строение и люминесцентные свойства 13
1.1. Особенности строения комплексов цинка(И) 13
1.2. Механизм люминесценции комплексов цинка(П) 17
1.3. Возможности модифицирования люминесцентных свойств комплексов цинка(Н): 18
2. Гетерометаллические комплексы Znu-LnI" 21
2.1. Строение ГМК Zn-lV" 22
2.2. Особенности люминесценции ионов лантанидов(Ш) 25
2.3. Механизм люминесценции координационных соединений лантанидов(Ш) 27-
3. Органические электролюминесцентные устройства (ОЭЛУ, OLED) 31
3.1. Структура и принципы работы ОЭЛУ 31
3.2. Методы осаждения тонких пленок КС входящих в структуру ОЭЛУ 34
3.3. Характеристика пленок, входящих в структуру ОЭЛУ 36.
3.3. Электролюминесцентные устройства на основе комплексов цинка(П) 37
3.4. Электролюминесцентные устройства на основе ароматических карбоксилатов тербия(Ш) 1
4. Постановка задач исследования и структура работы 44
III. Экспериментальная часть 47
III.1. Реактивы, методы анализа и исследования 47
III.1.1. Реактивы и препараты 47
III.1. Методы анализа и исследования 47
III.1.3. Измерение и расчет люминесцентных характеристик 50
III.1.4. Теоретическое моделирование оснований Шиффа и их комплексов цинка(П) .53
III Методики синтеза исследуемых соединений 53
III.1. Синтез оснований Шиффа 53
III.2.2. Синтез комплексов цанка(П) с основаниями Шиффа 54
III. 2.3. Синтез комплексов РЗЭ(Ш) с дипивалоилметаном (Hthd) и гексафторацетилацетоном (Hhfa) 55
III.2.4. Синтез гетерометаллических комплексов [Zn(n-M01)(fi2~CF3COO)Ln(hfa)2] (Ln^La111, Nd"1, Sm^-Dy1") 55
III.2.5. Синтез комплексов тербия(Ш) с ароматическими карбоксилатами ТЬ(СагЬ)з,
Tb(Carb)3(Q)n (HCarb = Hbz, HSal, Hpobz, HP A; Q = TPPO, TOPO; п = 1,2) 55
III.3. Нанесение тонких пленок ароматических карбоксилатов тербия(Ш) методом центрифугирования 56
III.4. Реакционное осаждение нелетучих Ln(bz)3 (Ln = La111, ТЬШ, LuIU) из газовой фазы 57
III.4.I. Газофазный синтез Ьп(Ьг)з (Ln - La111, Tb"1, Lu1") в газовой фазе 57
III.4.2. Реакционное осаждение тонких пленок ТЬ(Ьг)з 57
III.5. Технология изготовления ОЭЛУ 58
IV. Обсуждение результатов. Синтез, структура и фотофизические характеристики комплексов цинка (II) с основаниями Шиффа 59
IV. 1. Комплексы цинка(Н) с основаниями Шиффа 59
IV.1.1. Характеристика оснований Шиффа 59
IV. 1.2. Кристаллические структуры HSH2, Н2МАЫ, H2MAL2 60.
IV. 1.3. Особенности синтеза и характеристика комплексов цинка(П) с основаниями Шифф :.63
IV. 1.4. Кристаллические структуры комплексов цинка(П) с бидентатными основаниями Шиффа, производными салицилового альдегида - Zn(SHl)2, Zn(SH2)2, ,Zn(SH3)2 66
IV. 1.5. Кристаллические структуры комплексов цинка(П) с тетрадентатными основаниями Шиффа, производными ацетилацетона —[Zn2(AC)2] -СвНб, [Zn2(MALl)2]2C7H8,[Zn2(MAL2)2]C7H8 69
IV1.6. Термический анализ в атмосфере азота и препаративная вакуумная, сублимация оснований Шиффа и комплексов цинка(П) 73
IV.1.7. Фотофизические свойства оснований Шиффа и комплексов цинка(П) 75
IV.2. Гетерометаллические комплексы [Zn(//-M01)(//2-CF3COO)Ln(hfa)2] (Ln =
IV. 2.1. Характеристика и кристаллические структуры [Zn(/u-M01)(^2~ CF3COO)Ln(hfa)2] (Ln = Smm, Ей1", GcF, Dym) 87
IV.2.2. Фотофизические свойства [Zn(ju-M01)({i2-CF3COO)Ln(hfa)2] (Ln = La"1, Nd111,
Smm, Eulu, Gdu, Tb"1, Dym) 91
Карбоксиллты тербия(1п) икомплексынинка(п) с основаниями шиффа как прекурсоры элматериалов. 97
IV.3. Тонкие пленки ароматических карбоксилатов тербия(Ш) - ТЬ(СагЬ)з, Tb(Carb)3(Q)n (HCarb = Hbz, HSal, Hpobz, HPA; Q = TPPO, TOPO; n = 1,2) 97
IV.3.1. Исследование тонких пленок Tb(Carb)s, ТЪ(СагЪ)з(0)п (HCarb = HSal, Hpobz, HPA; Q — TPPO, TOPO; n = I, 2), полученных методом центрифугирования 98
IV. 3.2. Реакционное осаждение тонких пленок нелетучих координационных соединений на примере Tb(bz)s 104
IV.4. Электролюминесцентные устройства 118
IV.4.1. Электролюминесцентные устройства на основе комплексов цинка(П) с тетрадентатпыми основаниями Шиффа, производными салицилового альдегида. 118
IV.4.2. Электролюминесцентные устройства на основе ТЬ(Ьг)з 122
V. Выводы. 124
Приложение 144
