Введение
ГЛАВА 1. Получение и структура пленок nc-si/a-si:h 17
1.1. Методы формирования и механизмы кристаллизации пленок nc-Si/a-Si:H 17
1.2. Cтруктура пленок nc-Si/a-Si:H, полученных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы 21
1.3. Cтруктура пленок nc-Si/a-Si:H, полученных путем лазерной кристаллизации a-Si:H 31
1.4. Дефекты в пленках nc-Si/a-Si:H 51
1.5. Выводы по главе 1 57
ГЛАВА 2. Оптические свойства пленок nc-Si/a-Si:H 59
2.1. Основные литературные данные по оптическим свойствам пленок nc-Si/a-Si:H 59
2.2. Измерение спектральной зависимости коэффициента поглощения методом постоянного фототока 65
2.3. Спектральные зависимости коэффициента поглощения nc-Si:H 69
2.4. Зависимость коэффициента поглощения наномодифицированного аморфного кремния от доли кристаллической фазы 74
2.5. Методика измерений фотолюминесцентных свойств пленок nc-Si/a-Si:H 80
2.6. Фотолюминесценция пленок nc-Si/a-Si:H, полученных фемтосекундной лазерной кристаллизацией аморфного кремния 81
2.7. Фотолюминесценция пленок nc-Si/a-Si:H, полученных методом PECVD 85
2.8. Выводы по главе 2 89
ГЛАВА 3. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок nc-Si/a-Si:H 91
3.1. Перенос носителей заряда в пленках nc-Si/a-Si:H 91
3.2. Проводимость пленок a-Si:H, подвергнутых лазерной кристаллизации 108
3.3. Методика измерений фотоэлектрических свойств пленок nc-Si/a-Si:H 120
3.4. Зависимость фотоэлектрических свойств пленок nc-Si/a-Si:H от доли кристаллической фазы 124
3.5. Фотоэлектрические свойства пленок nc-Si:H 132
3.6. Модель переноса и рекомбинации неравновесных носителей заряда в пленках nc-Si/a-Si:H 148
3.7. Выводы по главе 3 154
ГЛАВА 4. Влияние внешних воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства пленок nc-Si:H 156
4.1. Влияние термического отжига на оптические и фотоэлектрические свойства пленок nc-Si:H 157
4.2. Влияние длительного освещения на оптические и фотоэлектрические свойства пленок nc-Si:H 167
4.3. Влияние облучения электронами на оптические и фотоэлектрические свойства nc-Si:H 179
4.4. Выводы по главе 4 186
ГЛАВА 5. Перенос носителей заряда в слоях nc-Si/SiO2 187
5.1. Основные литературные данные по механизмам переноса в системах с кремниевыми нанокристаллами в диэлектрической матрице 187
5.2. Получение и структура слоев nc-Si/SiO2 190
5.3. Проводимость слоев nc-Si/SiO2 193
5.4. Выводы по главе 5 201
ГЛАВА 6. Проводимость и фотопроводимость пористого кремния с латеральной анизотропией формы нанокристаллов 203
6.1. Основные литературные данные по проводимости пористого кремния 203
6.2. Методы формирования и структура пористого кремния 213
6.3. Методика измерений электрических и фотоэлектрических свойств анизотропного пористого кремния 221
6.4. Проводимость анизотропного мезопористого кремния на постоянном токе 223
6.5. Электропроводность и емкость анизотропного мезопористого кремния на переменном токе 231
6.6. Фотопроводимость анизотропного мезопористого кремния 238
6.7. Выводы по главе 6. 241
ГЛАВА 7. Влияние адсорбции активных молекул и термического отжига на электропроводность ансамблей связанных нанокристаллов 243
7.1. Инфракрасная спектроскопия пористого кремния 243
7.2. Определение концентрации свободных носителей заряда с помощью ИК-спектроскопии 246
7.3. Проводимость мезопористого кремния n- и p-типа при адсорбции активных молекул 253
7.4. Подвижность свободных носителей заряда в мезопористом кремнии n- и p-типа 255
7.5. Модификация электрофизических свойств изотропного ПК при термическом окислении 258
7.6. Выводы по главе 7 264
Заключение 266
Список сокращений и условных обозначений 270
Список литературы 274
