Введение
1 Обзор литературы и постановка задачи 8
1.1 Микроскопическая структура интерфейса 9
1.2 Микроскопические методы расчёта квантовых состояний в полупроводниках 11
1.3 Эмпирический метод сильной связи 15
1.4 Краткие итоги 19
2 Электронные состояния в sp3s* методе сильной связи 20
2.1 Гамильтониан сильной связи в базисе планарных орбиталей 20
2.2 Гамильтониан сильной связи с учётом спин-орбиталыюго взаимодействия 23
2.3 Энергетическая дисперсия с учётом затухающих решений 27
2.4 Метод сшивания объёмных решений 28
2.5 Точный численный расчёт 32
2.6 Краткие итоги 35
3 Оптические переходы на интерфейсе типа II 36
3.2 Межзонный матричный элемент оптического перехода 37
3.3 Латеральная анизотропия гетероперехода ZnSe/BeTe 41
3.3.1 Без учёта спин-орбитального расщепления 43
3.3.2 Расчёт с учётом спин-орбитального расщепления 48
3.4 Латеральная анизотропия гетероперехода InAs/AlSb 53
3.5 Краткие итоги 58
4 Интерфейсные локализованные состояния 59
4.1 Введение (обзор) 59
4.2 Дырочная локализация на интерфейсе InAs/AlSb 60
4.3 Сравнение с обобщённым методом эффективной массы 63
4.4 Фотолюминесценция интерфейсных состояний 67
4.5 Краткие итоги 70
5 Интерфейсный вклад в нечётное по к спиновое расщепление электронных подзон 71
5.1 Снятие спинового вырождения в объёмных нецентросимметричных полупроводниках (обзор) 72
5.2 Метод сильной связи при кх, ку отличных от нуля 74
5.3 Гетероструктуры на основе полупроводников с решёткой цинковой обманки 80
5.4 Гетероструктуры на основе полупроводников с решёткой алмаза . 86
5.4.1 Расчёт в методе сильной связи 87
5.4.2 Описание в рамках метода плавных огибающих 93
5.5 Краткие итоги 101
Заключение 102
