Введение
1. Методы получения и свойства монокристаллов кремния для СБИС
1.1. Современные требования к однородности и совершенству кремния 9
1.2. Промышленные методы выращивания монокристаллов кремния
1.3. Особенности поведения примесей кислорода и углерода в кремнии 22
1.4. Примеси металлов в монокристаллах кремния 30
1.5. Образование дефектов кристаллической структуры в процессах выращивания кремния
1.5.1. Дефектообразование в бездислокационных монокристаллах кремния 39
1.5.2. Микродефекты и окислительные дефекты упаковки 54
1.6. Особенности поведения переходных металлов IV группы в кремнии 64
2. Технология выращивания и исследование свойств монокристаллов
2.1.Подготовка исходных материалов и оборудования для выращивания монокристаллов 69
2.2. Технология выращивания монокристаллического кремния из расплава, содержащего примесь циркония 76
2.3. Контроль электрофизических параметров кремния
2.3.1. Определение типа электропроводности, величины и однородности распределения удельного сопротивления 84
2.3.2. Контроль времени жизни неравновесных носителей заряда 87
2.3.3. Определение содержания оптически активного кислорода и углерода 90
2.4. Выявление структурных дефектов в монокристаллах кремния
2.4.1. Контроль EPD (Etch Pit Defects) 95
2.4.2. Идентификация и определение плотности окислительных дефектов упаковки 102
2.5. Методика изготовления и подготовки пластин кремния к испытаниям 107
3. Исследование процессов теплопереноса при выращивании монокристаллов кремния
3.1. Влияние тепловых условий выращивания на совершенство монокристаллов кремния
3.2. Методика расчета тепловых полей 112
3.3. Анализ распределения температуры в монокристаллах в процессе выращивания 119
3.4. Определение условий выращивания монокристаллов с заданным механизмом образования микродефектов 128
Выводы
4. Использование "третьего" компонента при выращивании моно кристаллов кремния
4.1.Методы геттерирования в технологии кремния 133
4.2. Комплексообразование в кремнии при наличии циркония 136
4.3. Распределение примеси кислорода по длине и диаметру кристаллов 138
4.4. Влияние "третьего" компонента на поведение углерода при выращивании монокристаллов 148
4.5. Влияние циркония на однородность распределения основной легирующей примеси 151
4.6. Особенности образования структурных дефектов в кремнии с использованием "третьего" компонента 158
Выводы 164
Общие выводы 166
Литература 168
