Введение
Глава 1. Применение алмаза в оптоэлектронике 13
1.1. Физические свойства алмаза 13
1.1.1.Способы синтеза алмазов 15
1.1.2.Классификация алмазов на основе спектров оптического поглощения
1.1.3. Основные дефекты в алмазе, влияющие на оптические и электрические свойства
1.1.4.Электрические контакты к алмазу 20
1.2. Алмазные оптоэлектронные приборы 24
1.2.1.Светодиоды 25
1.2.2.Устройства СВЧ-диапазона, управляемые оптическим излучением
1.2.3.Фотодетекторы УФ диапазона 34
1.2.4.Оптоэлектронные коммутаторы 44
Глава 2. Методики эксперимента и экспериментальные установки 56
2.1.Объекты исследований 56
2.1.1.Алмазные образцы 56
2.1.2.Образцы тонких металлических пленок, напыленных на диэлектрические подложки
2.1.3. Алмазные оптоэлектронные коммутаторы 57
2.2.Аппаратура и методики, применяемые для измерений и расчетов 58
2.2.1.Оптическая спектроскопия алмазных образцов 58
2.2.2. Оптическая микроскопия металлических пленок, подвергнутых лазерному излучению
2.2.3. Измерение фототока, протекающего через алмазный коммутатор
Глава 3. Исследование спектрально-кинетических характеристик оптического пропускания и люминесценции алмазных образцов
3.1.Спектры оптического пропускания алмазных образцов 71
3.2.Фотолюминесценция алмазных образцов 74
3.2.1.Выбор длины волны для возбуждения фотолюминесценции алмазных образцов
3.2.2.Фотолюминесценция алмазных образцов при возбуждении эксилампами
3.2.3. Фотолюминесценция алмазных образцов при возбуждении лазерным излучением
3.3.Импульсная катодолюминесценция алмазных образцов 84
3.4.Идентификация алмаза и его имитаторов 95
3.4.1.Проблема экспресс-идентификации алмазов и их имитаторов 95
3.4.2.Неалмазные образцы 97
3.4.3.Экспресс-идентификация алмазов и их имитаторов с помощью измерения спектров оптического пропускания и фотолюминесценции
3.5.Выводы 102
Глава 4. Устойчивость к воздействию лазерного излучения металлических и керамических покрытий на поверхности оптически прозрачных материалов
4.1.Воздействие лазерного излучения на тонкие металлические пленки 103
4.2. Оценка величины термических напряжений при нарушении адгезии металлических пленок к подложкам при воздействии УФ лазером
4.3.Выводы 119
Глава 5. Оптоэлектронное переключение в природном и синтетическом алмазе 120
5.1. Основные характеристики алмазных оптоэлектронных коммутаторов 120
5.2. Режим фотодетектора 122
5.2.1. Работа алмазных коммутаторов в режиме фотодетектора 123
5.3. Оптоэлектронное переключение в алмазе 124
5.3.1. Оптоэлектронное переключение в алмазных коммутаторах при управлении УФ лазерами
5.3.2. Оптоэлектронное переключение в алмазных коммутаторах при управлении электронными пучками
5.3.3. Оптоэлектронное переключение в алмазном коммутаторе при управлении УФ импульсной ксеноновой лампой
5.4. Факторы, ограничивающие работу алмазных оптоэлектронных коммутаторов
5.4.1. Лазерно-стимулированный оптический пробой межэлектродной поверхности при поперечной геометрии
5.4.2. Накопление объемного заряда при продольной геометрии 136
5.5. Моделирование токопереноса неравновесных носителей в алмазе
наведенных внешним воздействием
5.6. Снижение влияния факторов, ограничивающих работу коммутатора 141
5.7. Идеальный алмазный коммутатор 143
5.7.1. Параметры алмазного образца 143
5.7.2. Контакты к образцу 144
5.7.3. Источник управляющего излучения 144
5.7.4. Конфигурация идеального коммутатора 144 5.8.Выводы 145
Заключение 147
Литература
