Введение
Глава 1. Получение эпитаксиальных слоев CdxHgi xTe MOCVD-методом для ИК-фотоприёмных устройств. (литературный обзор) 12
1.1. Физико-химические свойства теллуридов Cd, Hg и Zn. 12
1.2. Основные методы получения эпитаксиальных слоев CdsHg|.xTe. 18
1.3. Подложки для осаждения CdxHgi.xTe. 22
1.4. MOCVD-метод получения эпитаксиальных слоев CdxHgi xTe. 26
1.4.1. Общая характеристика метода. 26
1.4.2. Осаждение на подложках из GaAs. 28
1.5. Современные приборы на основе CdxHgi.xTe. 33
1.6. Постановка цели и задач исследований 37
Глава 2. Выращивание буферных слоев ZnTe и CdTe на подложках из арсенида галлия методом химического осаждения из паров алкильных соединений кадмия, цинка и теллура . 39
2.1. Аппаратура и методика эксперимента. 39
2.2. Исследование термораспада ДИПТ. 46
2.3. Осаждение буферных слоев ZnTe на подложках из GaAs. 48
2.3.1. Зависимость скорости роста, кристаллического совершенства и морфологии поверхности эпитаксиальных слоев ZnTe от температуры подложки . 48
2.3.2. Модель осаждения ZnTe из паров ДЭТ и ДЭЦ. 56
2.4. Осаждение эпитаксиальных слоев CdTe на подложках из GaAs. 57
2.4.1. Влияние толщины прослойки ZnTe/GaAs на свойства эпитаксиальных слоев CdTe кристаллографических ориентации (100) и (И 1)B. 57
2.4.2. Выращивание и свойства гетероструктур CdTe/GaAs( 111 )В и CdTe/ZnTe/GaAs( 100). 61
Глава 3. Осаждение эпитаксиальных слоев Cdi yZnyTe на подложках из арсенида галлия кристаллографических ориентаци й (100) и (111 )В. 64
3.1. Влияние условий осаждения на скорость роста, морфологию поверхности, структурное совершенство и состав Cdi.yZnyTe. 64
3.2. Осаждение гетероструктур Cd].yZnyTe/CdTe/ZnTe/GaAs. 69
3.3. Механизм роста эпитаксиальных слоев Cdi-yZnyTe. 71
3.4. Сравнительная характеристика буферных слоев CdTe/GaAs(l 11)В, CdTe/ZnTe/GaAs( 100) и Cd,.yZnyTe/CdTe/ZnTe/GaAs( 100). 72
Глава 4. Осаждение тройного раствора CdxHg|.xTe чередованием тонких слоев HgTe и CdTe на подложках из GaAs. 74
4.1. Методика проведения эксперимента. 74
4.2. Выбор буферного слоя и реагентов для послойного роста КРТ. 76
4.3. Осаждение эпитаксиальных слоев HgTe в условиях роста КРТ. 80
4.4. Осаждение эпитаксиальных слоев CdTe в условиях роста КРТ. 85
4.5. Осаждение гетероструктур CdTe/CdxHgi KTe/CdTe/GaAs (111)В из паров Cd(CH3)2, Te(i-C3117)2 и Hg. 86
4.6. Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe. 89
4.7. Измерение электрофизических параметров эпитаксиальных слоев CdxHg|.xTe. 90
4.8. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур CdTe/CdxI Igi xTe/CdTe/GaAs (111)В. 93
4.9. Матричное фотоприёмное устройство для спектрального диапазона 3-=-5 мкм на основе гетероструктуры p-Cd0,27Hgo,73Te, полученной MOCVD-методом. 98
Выводы. 104
Список литературы. 106
