Введение
Глава 1. Получение пленок арсенида галлия 9
1.1. Свойства арсенида галлия 9
1.2 Применение тонких плёнок в современной технике 13
1.3 Метод выращивания GaAs 15
1.4 Методы нанесения тонких пленок 22
1.5 Импульсные методы осаждения тонких плёнок 30
1.6 Особенности роста плёнок в условиях непрерывной и импульсной конденсации . 39
Глава 2. Оборудование и методика эксперимента 49
2.1. Сильноточный импульсный ионный ускоритель «ТЕМП» 49
2.2 Методика эксперимента 56
2.3 Диодные системы 59
2.4. Методы анализа применяемые для полупроводниковых пленок 67
2.5 Методы определения состава и профилей концентрации 70
Глава 3. Коэффициент эрозии мишени из GAAS при воздействии импульсного мощного ионного пучка 73
3.1 Морфология поверхности мишени из GaAs при воздействии МИЛ 74
3.2 Исследование стехиометрического состава мишени и размера кристаллитов при воздействии МИП 81
3.3. Коэффициент импульсной эрозии GaAs при воздействии МИП 86
3.4. Угловая зависимость распространения материала эрозии GaAs при воздействии МИЛ 89
Глава 4. Осаждение пленок GAAS из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком 95
4.1.Морфология поверхности 96
4.2. Стехиометрический состав пленок GaAs 108
4.3. Анализ структуры пленок 110
4.4. Исследование пленок GaAs на диэлектрической подложке методом Рамановской спектроскопии 113
Заключение 121
Литература 123
