Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов

Сизов Виктор Сергеевич. Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Сизов Виктор Сергеевич; [Место защиты: Физико-технический институт РАН].- Санкт-Петербург, 2010.- 110 с.: ил.
Автор
Сизов Виктор Сергеевич
Год
2010

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
99 000 UZS
Автор
Грачева Ирина Евгеньевна
Количество страниц
Год
2009
Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
99 000 UZS
Автор
Соколовский, Григорий Семенович
Количество страниц
Год
2010
Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
99 000 UZS
Автор
Фомин, Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2010
Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
99 000 UZS
Автор
Чубенко, Дмитрий Николаевич
Количество страниц
Год
2010
Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
99 000 UZS
Автор
Круглова Марина Вячеславовна
Количество страниц
Год
2009
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3