Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки
Мозжерин, Александр Владимирович. Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Мозжерин Александр Владимирович; [Место защиты: Иркут. гос. ун-т].- Иркутск, 2014.- 134 с.: ил. РГБ ОД, 61 14-1/529
