Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники

Кушхов Аскер Русланович. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 : Нальчик, 2004 148 c. РГБ ОД, 61:05-5/667
Автор
Кушхов Аскер Русланович
Год
2004

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Экспериментальное исследование когерентного излучения в распредел#нных джозефсоновских системах
99 000 UZS
Автор
Левичев Максим Юрьевич
Количество страниц
Год
2004
Низкоразмерные планарные структуры на основе монокристаллических тугоплавких металлов, проявляющие волноводные и баллистические свойства
99 000 UZS
Автор
Михайлов Геннадий Михайлович
Количество страниц
Год
2004
Спиновые и коллективные эффекты в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами
99 000 UZS
Автор
Криштопенко, Сергей Сергеевич
Количество страниц
Год
2011
Влияние адсорбции цезия с кислородом и органических молекул на электронные свойства поверхностей полупроводников для эффективных эмиттеров
99 000 UZS
Автор
Наконечников Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2005
Пл#нки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Олейник, Анатолий Сем#нович
Количество страниц
Год
2005
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3