Особенности катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе AlInGaN

Кузнецова, Яна Вениаминовна. Особенности катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе AlInGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Кузнецова Яна Вениаминовна; [Место защиты: Физико-технический институт РАН].- Санкт-Петербург, 2013.- 79 с.: ил.
Автор
Кузнецова, Яна Вениаминовна
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Оптимизация технических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
99 000 UZS
Автор
Вороненков Владислав Валерьевич
Количество страниц
Год
2014
Нестационарные и нелинейные кинетические явления в баллистических квазиодномерных наноструктурах.
99 000 UZS
Автор
Мурадов Магамед Индрисович
Количество страниц
Год
2013
Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах
99 000 UZS
Автор
Гриняев, Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2011
Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных A3B5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
99 000 UZS
Автор
Емельянов, Виктор Михайлович
Количество страниц
Год
2011
Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута
99 000 UZS
Автор
Хрипунов, Юрий Вадимович
Количество страниц
Год
2012
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3