Особенности контактных методов измерений кинетических коэффициентов анизотропных полупроводниковых структур

Заворотний Анатолий Анатольевич. Особенности контактных методов измерений кинетических коэффициентов анизотропных полупроводниковых структур: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.10 / Заворотний Анатолий Анатольевич;[Место защиты: ФГБОУ ВО «Юго-Западный государственный университет»], 2018
Автор
Заворотний Анатолий Анатольевич
Год
2018

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Двумерные соединения Tl-Sn, Tl-Pb и Au-Al на поверхности Si(111)
99 000 UZS
Автор
Тупчая Александра Юрьевна
Количество страниц
Год
2018
Дислокационная люминесценция в нитриде галлия
99 000 UZS
Автор
Медведев Олег Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Локализованные электронные и фононные состояния в полупроводниковых ветвящихся молекулярных структурах
99 000 UZS
Автор
Рындина Татьяна Сергеевна
Количество страниц
Год
2018
Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа
99 000 UZS
Автор
Шевлягин Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2019
Моделирование ионно-лучевого легирования гетероструктур «кремний на сапфире» и облучения нейтронами гетероструктур с наноостровками Ge(Si)
99 000 UZS
Автор
Скупов Антон Владимирович
Количество страниц
Год
2019
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3