Введение
Глава I. Обзор литературы 14
1.1. Сегнетоэлектрики как класс материалов. Общие понятия 14
1.1.1. Структура и свойства 14
1.1.2. Применение сегнетоэлектриков 19
1.2. Методы получения тонких пленок 24
1.3. Механизмы эпитаксиального роста 26
1.4. Структурные особенности тонких пленок и их влияние на свойства 30
1.5. Методы исследования тонких пленок 35
1.5.1. Рентгеноструктурный анализ 35
1.5.2. Современные методы прямого наблюдения структуры наноматериалов с атомным разрешением 38
1.5.3. Моделирование электронно-микроскопических изображений 45
1.5.4. Теоретические методы исследования 47
Глава II. Получение образцов и методы исследования 56
2.1. Материалы 56
2.2. Методы исследования и оборудование 57
2.2.1. Атомно-силовая микроскопия . 57
2.2.2. Электронная микроскопия 59
Глава III. Результаты экспериментов и их обсуждение 79
3.1. Электронно-микроскопические исследования 79
3.1.1. Начальные стадии роста – ультратонкие пленки 80
3.1.2. Дислокационная структура 82
3.1.3. Исследование границы раздела на атомарном уровне 91
3.2. Влияние толщины на доменную структуру пленок BST(80/20) 115
Выводы 133
Список используемых сокращений 135
Список литературы 136
