Введение
Глава 1. Литературный обзор 16
1.1 Основы сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии 16
1.2 Исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1//а 19
1.3 Изучение локальной плотности состояний в присутствии примесных атомов и дефектов поверхности 28
1.4 Атомарно-чистая поверхность скола (НО) полупроводниковых соединений типа А3В5 34
1.5 Краткие выводы 39
Глава 2. Исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида l/fa на поверхности скола кристалла In As (НО) методом СТМ/СТС 40
2.1 Экспериментальная установка 40
2.2 Методы получения чистой поверхности (110) 42
2.3 Система для скалывания образцов in situ 43
2.4 Результаты эксперимента 46
2.5 Краткие выводы 56
Глава 3. Теоретическое исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида l/fa при туннелировании через зарядовые локализованные состояния 58
3.1 Формирование низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через одно зарядовое локализованное состояние в области туннельного контакта 58
3.2 Формирование низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через два зарядовых локализованных состояния в области туннельного контакта 69
3.3 Сопоставление теоретических расчетов с результатами эксперимента 88
3.4 Краткие выводы 92
Глава 4. Теоретическое исследование спектральной плотности туннельного тока в широком диапазоне частот при туннелировании через два зарядовых локализованных состояния 93
4.1 Формирование высокочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через зарядовые локализованные состояния 93
4.2 Сдвиг низкочастотной сингулярной особенности в спектре туннельного тока в высокочастотную область при туннелировании через зарядовые локализованные состояния 100
4.3 Краткие выводы 109
Глава 5. Исследование пространственного распределения локальной плотности на поверхности полупроводниковых кристаллов в присутствии локализованных состояний 111
5.1 Изменение локальной плотности поверхностных состояний под действием локализованного состояния, образованного примесным атомом 111
5.2 Туннельная спектроскопия в окрестности примесных атомов 123
5.3 Влияние потенциала доменной стенки, на локальную плотность поверхностных состояний 126
5.4 Краткие выводы 132
Заключение 133
Литература 136
