Введение
1. Критическое состояние и краевой барьер двумерного сверхпроводника 6
1.1. Модель критического состояния 8
1.2. Геометрический барьер 16
1.3. Краевые эффекты 20
1.4. Поле проникновения 22
2. Экспериментальные методы 25
2.1. Приготовление образцов 25
2.1.1. Лазерное напыление пленок 25
2.1.2. Приготовление свинцовых образцов 27
2.2. СКВИД магнитометрия 27
2.2.1. Конструкция магнитометра 28
2.2.2. Расширение динамического диапазона магнитометра 34
2.2.3. Измерения в слабом магнитном поле 37
2.2.4. Отклик магнитометра 41
3. Намагничивание ВТСП пленок 47
3.1. Температурная зависимость магнитного момента пленок 48
3.2. Полевая зависимость магнитного момента пленок 53
3.3. Намагничивание пленок 55
3.4. Намагничивание пленок в сильном поле 57
3.5. Поле проникновения 60
4. Краевой барьер пластин и пленок из сверхпроводника первого рода 62
4.1. Поле проникновения сверхпроводника первого рода 62
4.2. Намагничивание свинцовых дисков 63
4.3. Энергия доменных границ и структура промежуточного состояния 67
4.4. Формирование промежуточного состояния 71
5. Краевой барьер пластины из сверхпроводника второго рода 74
5.1. Возникновение метастабильности в плоском сверхпроводнике второго рода 74
5.2. Поле проникновения геометрического барьера 77
5.3. Температурная зависимость поля проникновения 84
6. Краевой барьер тонкой пленки 90
6.1. Мейсснеровское состояние 91
6.2. Критическое состояние 94
6.3. Поле проникновения 98
6.4. Оценка влияния краевых эффектов на намагниченность ВТСП пленок. 102
Заключение 104
Благодарности 106
Литература 112
Список обозначений 122
