Введение
1 Влияние различного вида ионизирующего излучения на радиационно-физические процессы в эпитаксиальных слоях GaN. ядерное легирование (литературный обзор) 11
1.1 Радиационные дефекты в облученном нитриде галлия 11
1.2 Ядерное легирование полупроводников 30
2 Методика эксперимента 33
2.1 Методика измерения электрофизических свойств эпитаксиальных слоев нитрида галлия 33
2.1.1 Цель измерений 33
2.1.2 Сущность метода измерений 33
2.1.3 Оцениваемые характеристики и нормы для показателей точности 36
2.1.4 Операции подготовки к измерениям 37
2.1.5 Порядок проведения измерения удельного электрического сопротивления, подвижности и концентрации основных носителей заряда на установке «HMS-3000» 38
2.2 Измерение удельного электрического сопротивления высокоомных образцов GaN двухконтактным методом с помощью электрометра 40
2.3 Методика измерения структурных свойств эпитаксиальных слоев нитрида галлия 42
2.3.1 Оптическая схема дифрактометра D8 Discover 43
2.3.2 Описание программы обработки измерений Eva 46
2.3.3 Проведение рентгенографических съемок 50
2.4 Методика измерения емкостных параметров и спектров глубоких уровней эпмтаксиальных слоев нитрида галлия 54
2.4.1 Общее описание прибора 57
2.4.2 Краткое описание модулей 58
2.4.3 Главное окно программы 59
2.4.4 Основные характеристики емкостного (DLTS) спектрометра 59
3 Проведение расчета количества первичных радиационных дефектов и легирующей примеси, образующихся в gan (algan, ingan) при облучении в реакторе ВВР-ц 61
3.1 Быстрые нейтроны 61
3.2 Тепловые нейтроны 65
3.3 Гамма-излучение реактора 7172
3.4 Полное число смещенных атомов 74
4 Исследование электрофизических параметров эпитаксиальных слоев нитрида галлия после облучения реакторными нейтронами и последующих термообработок 76
4.1 n-GaN 76
4.2 p-GaN 87
5 Исследования структурных характеристик эпитаксиальных слоев n-GaN, облученных реакторными нейтронами и высокоэнергетичными электронами 98
5.1 Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных слоев n-GaN, облученных различным спектром реакторных нейтронов 98
5.2 Анализ микроструктуры и состава поверхности эпитаксиальных слоев n-GaN, облученных быстрыми реакторными нейтронами и высокоэнергетичными электронами 113
6 Влияние облучения реакторными нейтронами и высокоэнергетичными электронами на емкостные параметры эпитаксиальных слоев нитрида галлия 122
6.1 n-GaN 122
6.2 p-GaN 140
7 Элементы технологии 148
7.1 Характеристики исходного сырья 148
7.2 Подготовка образцов к облучению 148
7.3 Облучение образцов в реакторе ВВР-ц 151
7.4 Подготовка облученных образцов к отжигу 157
7.5 Отжиг 157
7.6 Измерение электрофизических параметров 157
7.7 Техника безопасности 158
Заключение 166
Список используемых источников
