Введение
Глава 1. Исследование оптических и электронных свойств GaAsN и InGaAsN полупроводниковых твердых растворов (обзор литературы)
1.1 Эффекты расслоения фаз и флуктуации состава в полупроводниковых твердых растворах 12
1.2 Обзор экспериментальных результатов.
1.2.1 Характерные особенности GaAsN и InGaAsN 22
1.2.2 Исследования излучательных спектров 28
1.2.3 Исследования колебательных спектров 34
1.3 Обзор теоретических работ.
1.3.1 Модель непересекающихся зон 39
1.3.2 Метод псевдопотенциалов 42
Глава 2. Экспериментальные методы исследования.
2.2 Комбинационное рассеяние и ИК-отражение света.
2.1.1 Описание метода 45
2.2.1 Экспериментальная установка 52
2,1 Оптическая спектроскопия ближнего поля .
2.1.1 Описание метода 56
2.1.2 Экспериментальная установка 64
Глава 3. Особенности колебательных свойств GaAsN и InGaAsN твердых растворов
3.1 Геометрия рассеяния и правила отбора 66
3.2 Экспериментальные спектры комбинационного рассеяния и ИК-отражения вета 69
3.3 Анализ интенсивности комбинационного рассеяния света в GaAsN твердом растворе с помощью модели поляризуемости связей 80
Глава 4. Квантово-размерные флуктуации состава в спектрах ближнеполевой магнито-фотолюминесценции GaAsN и InGaAsN твердых растворов
4.1 Температурная зависимость спектров ближнеполевой ФЛ 91
4.2 Спектры ближнеполевой ФЛ в магнитном поле 102
43 Измерения пространственного распределения флуктуации состава 106
4.4 Вероятностный расчет флуктуации состава 109
Глава 5. Обобщение полученных результатов для GaAsN и InGaAsN твердых растворов
5.1 Схожесть и различие характеристик 112
5.2 Сравнение экситонных переходов в магнитном поле 117
Заключение 120
Литература
