Введение
1 Литературный обзор. Электронные процессы в неупорядоченных полупроводниках 38
1.1 Прыжковый транспорт в макроскопических системах 38
1.1.1 Прыжковая проводимость при наличии кулонов-ского взаимодействия 44
1.2 Топология проводящей сетки. Мезоскопические системы 46
1.2.1 Некогерентные мезоскопические явления в неупорядоченных системах 48
1.3 Прыжковая проводимость во фрактальных системах 52
2 Транспорт заряда в ансамбле туннельно-связанных квантовых точекGeвSi 58
2.1 Переход от прыжковой к диффузионной проводимости в ансамбле квантовых точек 62
2.1.1 Анализ температурных зависимостей проводимости в рамках модели прыжкового транспорта 70
2.1.2 Анализ температурных зависимостей проводимости в рамках модели слабой локализации 76
2.1.3 Нелинейные эффекты в прыжковом и диффузи онном транспорте
2.1.4 Исследование G(T) в рамках скейлинговой теории 84 2.2 Магнетосопротивление массива квантовых точек 94
2.2.1 Положительное магнетосопротивление 97
2.2.2 Отрицательное магнетосопротивление 102
2.2.3 Модель МС 105
2.2.4 Температурная зависимость длины сбоя фазы 112
3 Нестационарные процессы в массиве квантовых точек 118
3.1 Фотопроводимость 122
3.1.1 Положительная и отрицательная фотопроводимость123
3.1.2 Модель фотопроводимости для энергии фотона больше EgS i 129
3.1.3 Приложение 1. Процедура определения релаксационной функции f(p) 136
3.2 Релаксация проводимости при приложении сильных электрических полей 140
3.2.1 Влияние электрон-электронного взаимодействияна релаксацию проводимости 140
4 Прыжковая проводимость пористого аморфного кремния 152
4.1 Проводимость пористого аморфного кремния на постоянном токе 152
4.1.1 Приготовление образцов 152
4.1.2 Температурная зависимость проводимости нелегированного пористого аморфного кремния 155
4.2 Релаксационные явления в пористом аморфном кремнии 165
4.2.1 Нестационарный ток 165
4.2.2 Дисперсия времен переходов и определение функции распределения длин прыжков электронов 170
4.3 Подавление и восстановление проводимости в среде с фрактальной размерностью 173
4.3.1 Температурная зависимость проводимости пористого a-Si:H 176
4.3.2 Нестационарный ток в пористом a-Si:H 181
4.3.3 Восстановление фрактальных свойств пористого a-Si 184
5 Мезоскопический транспорт в микроструктурах на основе аморфного кремния 188
5.1 Некогерентные мезоскопические явления в неупорядоченных системах 188
5.2 Микроструктуры на основе аморфного кремния 193
5.3 Функция распределения проводимости по образцам
5.4 Перестройка проводящих цепочек при изменении температуры 203
5.5 Резонансное туннелирование через локализованные состояния
5.5.1 Туннельная спектроскопия электронного спектра. 209
5.5.2 Мезоскопические флуктуации электронного спектра под действием внешних факторов 213
5.6 Телеграфный шум 217
5.6.1 Спонтанные двухуровневые переключения тока. 217
5.6.2 Фотостимулированные флуктуации тока 226
6 Мезоскопические флуктуации фотопроводимости в си стемесGe/Si квантовыми точками 234
6.1 Кинетика фотопроводимости в наноструктурах с квантовыми точками 234
6.2 Мезоскопические флуктуации при изменении освещенности 241
6.3 Импульсное освещение мезоскопических структур с квантовыми точками 243
6.4 Температурно-стимулированный переход от макро- к ме-зоскопическому поведению прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек 244
Заключение 252
Список литературы 2
