Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы 10
1.1. Тонкопленочные структуры на основе цирконата титаната свинца 10
1.2. Самопроизвольная поляризация в тонких сегнетоэлектрических пленках 15
1.3. Пироэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок 22
1.4. Поле деполяризации в сегнетоэлектрических пленках с учетом влияния электродов 35
Постановка задачи 39
ГЛАВА 2. Методики исследований тонких пленок цтс, экспериментальные установки и образцы 40
2.1. Динамический метод исследования пироэлектрических свойств тонких пленок ЦТС 40
2.1.1. Методика определения величины пирокоэффициента в тонких сегнетоэлектрических пленках ЦТС 40
2.1.2. Методика определения направления и степени самополяризации в сегнетоэлектрической пленке 44
2.2. Экспериментальные установки 45
2.3. Объекты исследований 51
ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты 55
3.1. Пироэлектрический отклик тонкопленочных ЦТС-структур, сформированных на различных подложках 55
3.2. Петли пироэлектрического гистерезиса для пленок ЦТС, сформированных на подложках из ситалла 61
3.2.1. Пироэлектрические петли гистерезиса пленок ЦТС, распыленных из мишеней стехиометрического состава и содержащих избыток оксида свинца 61
3.2.2. «Остаточный» пироэлектрический гистерезис в пленках ЦТС
(REM hysteresis) 66
3.2.3. Форма пироэлектрических петель для пленок ЦТС при различных температурах 69
3.2.4. Влияние толщины пленки ЦТС на
величину ее самополяризации 72
3.3. Аномальные пироэлектрические петли в пленках ЦТС на ситалловых подложках 74
3.4. Петли пироэлектрического гистерезиса тонких пленок ЦТС, сформированных на кремниевой подложке 80
3.5. Пироэлектрические свойства пленок состава
Pb(Tio,45Zr0>5-5Wo,oiCdo,oi)0-5, осажденных на стальные подложки 87
3.5.1. Петли пироэлектрического гистерезиса в униполярных пленках Pb(Ti„^Zr0>5,WoIoiCdooi)0, 87
3.5.2. Влияние отжига на поведение пироотклика в пленках Pb(Tio)45Zr0>53Wo,o1Cdo>oi)0, 90
3.5.3. «Встречная» поляризация в пленках Pt^Tio^Zro^WooiCdo^Cb 92
3.6. Пиро-фотоэлектрические отклики в конденсаторных структурах на основе ЦТС 94
ГЛАВА 4. Обсуждение результатов 101
4.1. Расчет формы пироэлектрических импульсов тонкопленочных структур 101
4.2. Влияние механических напряжений на величины пирооткликов пленок ЦТС, сформированных на подложках из ситалла и кремния 105
4.3. Внутренние поля и их влияние на поведение пироотклика тонкопленочных сегнетоэлектрических структур системы ЦТС 112
4.4. Влияние оксида свинца, внедренного в объем пленки ЦТС,
на ее физические параметры 124
Основные результаты и выводы 127
Литература
