Введение
ГЛАВА 1. Плазменные источники химически активных ионов и их применения в технологиях микро- и наноэлектроники 12
1.1. Плазменные источники химически активных ионов и частиц .12
1.2. Управление распределением плотности тока по сечению пучка ионов 25
1.3. Технологические процессы обработки функциональных слоев микроплат с использованием ионных пучков 28
1.3.1. Очистка подложек микроплат 28
1.3.2. Синтез тонких пленок углерода 31
1.3.3. Ионно-лучевая модификация пленок углерода 36
1.4. Выводы и постановка задач 38
ГЛАВА 2. Источники химически активных ионов на основе отражательного разряда с полым катодом 41
2.1. Временные характеристики горения разряда 42
2.2. Энергетические спектры выходящих ионов 49
2.3. Исследование процессов в ускоряющем промежутке между катодом-отражателем и обрабатываемой поверхностью 54
2.4. Модернизации отражательного разряда с полым катодом 58
2.4.1 Магнетронно-распылительный графитовый элемент в полом катоде 58
2.4.2 Магнетронно-распылительный самонакаливаемый элемент с рабочим веществом в полом катоде 62
2.5. Выводы к главе 2 66
ГЛАВА 3. Источник с пучком большого сечения на основе двухступенчатого разряда с полым катодом 68
3.1. Исследование двухступенчатого разряда с полым катодом 68
3.2. Управление распределением плотности тока по сечению пучка ионов 80
3.3. Плазменный эмиттер электронов 89
3.4. Выводы к главе 3 92
ГЛАВА 4. Применение плазменных источников химически активных ионов для обработки функциональных слоев микроплат 94
4.1. Ионная очистка подложек как альтернатива многостадийной химической очистке 94
4.2. Синтез и исследование тонких пленок углерода .100
4.2.1 Пленки, синтезированные ионным пучком 102
4.2.2 Пленки, синтезированные чередующимися ионными и электронными пучками 118
4.3. Модификация пленок углерода лучом ионов С+ 123
4.4. Выводы к главе 4 128
Заключение 131
Список литературы 135
