Введение
Глава 1. Формирование пленок оксидных сверхпроводников с низким поверхностным сопротивлением: условия роста структура и свойства
1.1. Метод лазерного напыления ГЛ /О LJ L) CD L/c/26
1.1.1. Введение А 26
1.1.2. Основные принципы метода лазерного напыления 27
1.1.3. Последовательность формирования пленок 32
1.1.4. Формулировка целей работы 34
1.2. Экспериментальное оборудование, образцы и методики 36
1.2.1. Установка по лазерному напылению пленок 36
1.2.2. Исследуемые материалы 39
1.2.3. Методы исследования свойств пленок 42 І.З.Условия синтеза и свойства пленок оксидных сверхпроводников: результаты экспериментов 45
1.3.1. Характеризация эпитаксиальных пленок 45
1.3.2. Влияние условий напыления на орнентационные
и сверхпроводящие свойства пленок 55
1.3.3. Микроструктура эпитаксиальных пленок на сапфире 62
1.3.4. Изменение свойств при вариации толщины пленок 66
1.4. Рост, структура и свойства эпитаксиальных пленок
оксидных сверхпроводников на сапфире 71
1.5. Получение пленок оксидных сверхпроводников с низким поверхностным сопротивлением 79
1.6. Выводы 83
Глава 2. Кислородный обмен в пленках мсталлооксндиых сверхпроводников и механизм их газочувсі вительности 85
2.1. Введение 85
2.2. Методики исследований 89
2.3. Кинетика кислородного обмена в пленках 91
2.3.1. Результаты экспериментов 91
2.3.2. Кинетика окислительно-восстановительных процессов. Обсуждение 95
2.4. Выводы 107
Глава 3. Свойства пленок оксидных сверхпроводников 110
3.1. Анизотропные свойства эпитаксиальных YBa2Cu306+I пленок 111
3.1.1. Введение. Анизотропия проводимости ВТСП материалов 111
3.1.2. Методики исследования 115
3.1.3. Температурные зависимости компонент сопротивления. Экспериментальные результаты и обсуждения 116
3.1.4. Особенности измерения проводимости пленок анизотропных материалов методом Монтгомери 124
3.1.5. Выводы 128
3.2. Режим тепловой неустойчивости пленок оксидных сверхпроводников в резистивном состоянии 130
3.2.1. Введение 130
3.2.2. Методики исследования 130
3.2.3. Неустойчивость резистивного состояния пленок оксидных сверхпроводников: результаты экспериментов 133
3.2.4. Инициирование режима тепловой неустойчивости пленок оксидных сверхпроводников воздействием оптического излучения 134
3.2.5. Условия возникновения тепловой неустойчивости 138
3.2.6. Оценка характерных времен 144
3.2.7. Выводы 146
Глава 4. Формирование микрокапельных контактных элементов 148
4.1. Микрокапельные контактные структуры 148
4.2. Соударение микрокапель с твердой поверхностью. Введение 153
4.3. Исследование процессов при осаждении расплавленных микрокапель припоя. Экспериментальное оборудование и процедуры 155
4.3.1. Измерение скорости капель 159
4.3.2. Расчет температуры капель перед соударением с подложкой 160
4.4. Влияние условий осаждения на форму затвердевших капель. Результаты экспериментов 163
4.5. Качественная модель растекания и затвердевания капель 170
4.6. Затвердевание капель. Характеризация формы
затвердевших капель 175
4.6.1. Ключевые параметры, характеризующие форму капель 176
4.6.2. Характерное время затвердевания капель 180
4.6.3. Частота и полное число колебаний затвердевающей капли 183
4.6.4. Размер возмущений на поверхности капель 185
4.6.5. Затвердевание капель на адиабатической подложке 187
4.6.6. Общее время затвердевания капли и оценка
числа колебаний 190
4.7. Влияние условий осаждения на финальную форму капель 190
4.8. Выводы 199
Заключение 205
Литература 208
