Введение
Глава 1. Механизмы поглощения электромагнитных волн терагерцового диапазона в полупроводниках 11
1.1. Модель проводимости Друде 13
1.2. Взаимодействие излучения с кристаллической решёткой 16
1.3. Модель Лоренца 19
1.4. Модель Лиддена — Сакса — Теллера, Куросавы 21
1.5. Процессы многофононного поглощения 22
1.6. Заключение к главе 1 26
Глава 2. Экспериментальные методы изучения распространения волн терагерцового диапазона в полупроводниках 27
2.1. Инфракрасная Фурье-спектроскопия. ИК-спектрометр «Bruker IFS-113v» 28
2.2. Субмиллиметровая ЛОВ-спектроскопия. СБММ-спектрометр «Эпсилон» 32
2.3. Спектроскопия с временным разрешением 40
2.4. Программная среда WASF для моделирования спектров диэлектрического отклика 42
2.5. Исследуемые образцы монокристалла ZnGeP2 46
2.6. Результаты спектральных СБММ- и ИК-измерений 52
2.7. Заключение к главе 2 68
Глава 3. Анализ механизмов поглощения терагерцового излучения в кристалле ZnGeP2 69
3.1. Влияние проводимости друдевского типа на поглощение ТГц-излучения 69
3.2. Влияние облучения кристалла электронами на поглощение ТГц-излучения 72
3.3. Влияние двухфононных разностных процессов на поглощение ТГц-излучения 78
3.4. Заключение к главе 3 85
Заключение 86
Список публикаций по теме работы 88
Список цитированной литературы
