Введение
Глава I. Обзор литературы 10
1-1 Особенности кристаллической и зонной структуры карбида кремния
1-2 Легирующие примеси в карбиде кремния ..-. 17
1-3 Выращивание кристаллов карбида кремния.-, 20
и свойства рп.-переходов, получаемых в процессе роста
1-4 Сублимационный сэндвич-метод 34
1-5 Получение эпитаксиальных слоев и ра - 26
структур пиролизом химических соединений кремния и углерода .
1-6 Получение рп-переходов диффузией и ионной имплантацией ?.
Глава 2. Методика технологических экспериментов 38
2-І Высокотемпературные технологические установки
2-2 Внутренняя арматура тигля и конструкции сэндвич-ячеек
2-3 Подготовка образцов к эпитаксиальному наращиванию и измерениям ;
Глава 3. Эпитаксиальное выращивание структурно совершенных переходов 52
3-І Массоперенос карбида кремния в сублимационном сэндвич-методе
3-2 Эксперименты по выращиванию РА- структур ». 60
Глава 4. Электрические и фотоэлектрические характе ристики структурно совершенных f>n-переходово . »
4-1 Прямая ветвь вольтамперяой характернетики Dy да и его температурная зависимость в
4-2 Напряжение лавинного пробоя (ра-перехо да и его та политипе 6Н
4-3 Допробойные обратные токи btx-перехода.. 83
4-4 Шнурование тока лавинного цробоя в 6Н iG І V. 92
4-5 Фотоэлектрические исследования
структурно совершенных pa- переходов.. 96
Глава 5 Исследование лавинного умножения в переходах 106
5-І Определение коэффициентов ударной ионизации из данных по лавинному умножению V. 107
5.2 Сравнение экспериментальных результатов по ударной ионизации с имеющимися теоретическими представлениями .
5.3 Исследование лавинного умножения в карбиде кремния с помощью электрон ного зонда 134
Заключение . 143
Выводы 146
Литература
