Введение
Глава I. Обзор литературных данных по пленкам и гетероструктуре 10
1.1. Теоретические основы гетеропереходов 10
1.1.1. Резкие анизотипные гетеропереходы 10
а) Диффузионная модель 11
б) Эмиссионная модель 14
в) Эмиссионно-рекомбинационная модель 17
1.1.2. Резкие изотипные гетеропереходы 17
а) Эмиссионная модель 18
б) Модель двойного Шоттки-диода 21
в) Туннельная модель 25
1.2. Методы получения пленок 27
1.2.1. Вакуумное осаждение 27
1.2.2. Метод Векшинского 28
1.2.3. Метод трех температур 28
1.2.4. Метод дискретного испарения 30
1.2.5. Перекристаллизация 35
1.3.Методы получения гетероструктуры 36
1.3.1. Выращивание из раствора-расплава 37
1.3.2. Химический метод 38
1.3.3. Химический газотранспортный метод 39
1.3.4. Особенности приготовления гетероструктуры 41
1 АЭлектрофизические свойства гетероструктуры 43
1.4.1. Вольт-емкостные характеристики гетероструктуры 43
1.4.2. Вольт-амперные характеристики гетероструктуры 46
Глава II. Получение, электрические и термоэлектрические свойства гетероструктуры n-InSb-SiO 2 -p-Si 48
2.1. Приготовление образцов и их структурные особенности 48
2.1.1. Методика получения гетероструктуры n-InSb-Si02 -p-Si... 48
2.1.2. Структурные особенности образцов 53
2.2. Электрические свойства компенсированных пленок n-InSb 59
2.3. Определение электрических параметров макродефектов в перекристаллизованных пленках 60
2.4. Характер гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si и глубина залегания ловушек 61
2.5. Аномальная термоэдс на гетероструктуре n-InSb-Si02 -p-Si 68
Глава III. Оптические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si 77
3.1.Методы исследования оптических и фотоэлектрических свойств гетероструктуры n-InSb-Si02 -p-Si 77
3.2. Исследование темновых и световых В АХ гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si 79
3.3.Зонная энергетическая диаграмма гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si 91
3.4. Оптическая память гетероструктуры n-InSb-SiO 2 -p-Si 93
3.5. Оптическая память в поликристаллических пленках n-InSb, особенности оптической памяти 101
Глава IV. Практическое применение гетероструктуры n-InSb-SiO 2 -p-Si 105
4.1.Термоэлектрогенератор 105
4.2. Элемент оптической памяти 106
4.3. Модулятор инфракрасного и микроволнового излучения 107
Выводы 109
Литература
