Введение
Глава I. Обзор литературы 9
1. Методы получения полупроводниковых пленок сульфидов металлов 9
2. Свойства сульфида кадмия 14
3. Механизм легирования пленок анионзамещающими примесями 19
4. Электрические и фотоэлектрические свойства сульфида кадмия, осажденного из тиомочевинных координационных соединений 22
5. Люминесцентные свойства CdS 27
5.1. Природа люминесценции в полупроводниках типа AnBvl, на примере сульфида кадмия 27
5.2 Люминесцентные свойства CdS, осажденного методом пиролиза аэрозоля 29
6. Характеристика элементов 1а группы 32
Глава II. Синтез образцов и методы исследования 35
1. Методика нанесения плёнок 35
2. Электрические, фотоэлектрические и структурные исследования слоев CdS 38
3. Люминесцентные и оптические исследования 42
Глава III. Структурные, электрические и фотоэлектрические исследования пленок CdS, осажденных в присутствии элементов 1а группы 45
1. Структурные исследования тиомочевинных соединений с солями щелочных металлов 46
2. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок сульфида кадмия 53
2.1 Вольтамперные характеристики пленок сульфида кадмия, содержащего примеси элементов 1а группы 53
2.2 Удельная электропроводность пленок CdS, легированного элементами 1а группы 56
3. Фотопроводимость и нестационарные явления пленок сульфида кадмия, легированного щелочными металлами 63
3.1 Фотоэлектрические свойства пленок сульфида кадмия, легированного щелочными металлами 63
3.2 Релаксационные явления в фотопроводящих пленках сульфида кадмия 69
Глава IV. Люминесцентные и оптические свойства пленок CdS, легированных элементами 1а группы и галогенами 75
1. Формирование центров люминесценции и спектрально-люминесцентные свойства CdS(Cl), осажденного в присутствии щелочных металлов : 76
2. Оптические свойства CdS(Cl), осажденного в присутствии щелочных металлов 93
Заключение 97
Выводы 100
Литература 102
Приложение 112
