Введение
Глава 1. Литературиый обзор 12
1.1. Общая характеристика бинарных соединений АТи^Ви 12
1.1.1. Сравнительная характеристика соединений А3В5 и А2Вб 12
1.1.2. Кристаллическая структура 14
1.1.3. Химическая связь 15
1.2. Антимонид индия 16
1.2.1. Объемные свойства аитимонида индия 16
1.2.2. Поверхность соединения InSb 23
1.2.3. Адсорбционные свойства InSb 27
1.3. Теллурид цинка 31
1.3.1. Физико-химические свойства ZnTe 31
1.3.2. Поверхностные свойства ZnTe 36
1.3.3. Адсорбционные свойства ZnTe 37
1.4. Общая характеристика твердых растворов на основе соединений А В , А В
и методы их получения 39
1.4.1. Общая характеристика твердых растворов на основе соединений А3В5иА2В6 39
1.4.2. Получение твердых растворов типа А В - А В 42
1.4.3. Получение пленок бинарных соединений и твердых растворов типа А3В5-А2В6 47
1.4.4. Некоторые сведения о системе InSb —ZnTe 51
1.4.5. Основные закономерности адсорбционных процессов на твердых растворах на основе бинарных алмазоподобных полупроводников 53
1.5. Практическое применение бинарных соединений и твердых растворов на их основе 55
1.5.1. Области практического применения бинарных компонентов и твердых растворов систем А В -А В 55
1.5.2. Полупроводниковые сенсоры-датчики для газового анализа 58
1.5.3. Исследование адсорбции методами ИК- и КР-спектроскопии 61
Глава 2. Экспериментальная часть 67
2.1. Исследуемые объекты и способы их получения 68
2.1.1. Получение твердых растворов виде порошков 68
2.1.2. Получение пленок исходных бинарных компонентов и твердых растворо в 69
2.2. Идентификация компонентов системы InSb - ZnTe 72
2,2.1. Рентгеноструктурный анализ 72
2.2-2. Оптические методы исследования образцов системы. Определение ширины запрещенной зоны 73
2.2.2.1. ИК - спектроскопические исследования 73
2.2.2.2. Метод спектроскопии комбинационного рассеяния (КР)...75
2.2.2.3. Исследование стехиометрического состава 76
2.3. Исследование кислотно-основных свойств 76
2.3.1. Определение рН — изоэлектрического состояния 76
2.3.2. Исследование кислотно-основных свойств мсханохимическнм методом 77
2.3.3. Неводное кондуктометрическое титрование 78
2.4. Исследование адсорбционных свойств 79
2.4.1. Выбор и получение газов 79
2.4.1.1. Получение аммиака 79
2.4.1.2. Получение оксида углерода (II) 80
2.4.1.3. Получение кислорода , 81
2.4.2. Проведение адсорбционных измерений 81
2.5. Электрофизические измерения 85
2.5.1. Измерение удельной электропроводности 85
2.5.2. Исследование заряжения поверхности под влиянием адсорбированного газа 90
Глава 3. Обсуждение результатов 91
3.1. Результаты идентификации 91
3.1.1. Рентгеноструктурпый анализ 91
3.1.2. Определение оптической ширины запрещенной зоны методом ИК-спектроскопии (ИКС) 95
3.1.3. Применение метода спектроскопии комбинационного рассеяния для идентификации компонентов системы InSb-ZnTe 97
3.1.3.1. Идентификация бинарных компонентов и твердых растворов системы InSb-ZnTe 100
3.1.3.2. Механохнмическая активация и люминесцентные свойства компонентов системы InSb - ZnTe 102
3.1.3-3. Определение ширины запрещенной зоны компонентов системы 103
3.1.4. Оценка стехиометрического состава 103
3.1.5. Измерение удельной электропроводности 104
3.2. Кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы InSb — ZnTe 107
3.2.1. Определение водородного показателя нзоэлектрического состояния (рНШ0) 107
3.2.2. Неводное кондуктометрическое титрование 109
3.2.3. Механохимические исследования 113
3.3. Адсорбционные свойства компонентов системы InSb —ZnTe 117
3.3.1. Исследование адсорбции 117
3.3.1.1. Адсорбция СО на образцах системы InSb-ZnTe 118
3.3.1.2. Адсорбция аммиака на образцах системы InSb-ZnTe 132
3.3.1.3. Адсорбция кислорода на образцах системы InSb — ZnTe...146
3.3.2. Обобщение результатов адсорбции 160
3.4. Электрофизические измерения в процессе адсорбции 160
3.5. Исследование адсорбции СО и NH3 методом ИКС 173
3.5.1. ИК-спектроскопические исследования адсорбции СО 173
3.5.2. ИК-спектроскопические исследования адсорбции аммиака 175
3.6. Исследование адсорбции СО и NH3 методом спектроскопии комбинационного рассеяния. Адсорбционные и люминесцентные свойства
компонентов системы InSb-ZnTe 177
Глава 4. Взаимосвязь изученных поверхностных свойств и основные закономерности их изменения в зависимости от состава системы InSb-ZnTe 184
4.1. Закономерности изменения с составом поверхностных физико-химических свойств компонентов системы InSb-ZnTe 184
4.2. Прогнозирование свойств многокомпонентных полупроводниковых систем 191
4.2.1. Прогнозирование свойств твердых растворов на основе свойств исходных бинарных соединений 191
4.2.2. Моделирование зависимостей «состав - свойство» твердых растворов четырехкомпонентных систем на основе А В и А2В6 198
4.2.3. Полупроводниковые сенсоры газового анализа 200
Выводы 201
Библиографический список
