Получение высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов

Козлов Сергей Алексеевич. Получение высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов : Дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 : Москва, 2004 116 c. РГБ ОД, 61:04-2/480
Автор
Козлов Сергей Алексеевич
Год
2004
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Литературный обзор 7
1.1. Методы очистки галлия, полученного из традиционного сырья 7
1.1.1. Фильтрование 8
1.1.2. Гидрохимическая очистка 11
1.1.3. Химическая обработка галлия газообразными реагентами... 14
1.1.4. Вакуумтермическая обработка 16
1.1.5. Электрохимическое рафинирование 18
1.1.6. Дистилляция и ректификация трихлорида галлия 20
1.1.7. Зонная плавка трихлорида галлия 21
1.2. Получение высокочистого галлия из нетрадиционного сырья 24
1.3. Роль кристаллизационных методов в технологии получения высокочистого галлия 28
Глава 2. Методы экспериментальной работы 34
2.1. Методы анализа примесей в галлии 34
2.2. Определение вещества — основы
2.2.1. Определение галлия 40
2.2.2. Определение мышьяка 40
2.2.3. Определение фосфора 41
2.3. Измерение электрофизических параметров монокристаллов и эпитаксиальных структур GaAs 42
2.4. Методы очистки галлия 45
2.4.1. Гидрохимическая очистка 46
2.4.2. Вакуумтермическая обработка 47
2.4.3. Электрохимическое рафинирование 48
2.4.4. Направленная кристаллизация по Чохральскому з
2.4.5. Горизонтальная направленная кристаллизация 50
2.4.6. Направленная кристаллизация с вращением контейнера 54
Глава 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение 56
3.1. Классификация галлийсодержащих отходов на основе GaAsnGaP. Получение технического галлия 56
3.2. Глубокая очистка галлия
3.2.1. Гидрохимическая очистка 61
3.2.2. Вакуумтермическая обработка 63
3.2.3. Электрохимическое рафинирование 65
3.3. Кристаллизационная очистка галлия 67
3.3.1. Определение эффективных коэффициентов распределения для бинарных систем галлий - примесь 71
3.3.2. Определение эффективных коэффициентов распределения для многокомпонентных систем галлий - примеси 80
3.3.3. Механизм влияния природы примеси на морфологию кристалла галлия 85
Глава 4. Комплексная технологическая схема получения высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов 95
4.1. Выбор и обоснование технологической схемы получения высокочистого галлия 95
4.2. Испытания образцов высокочистого галлия для выращивания монокристаллов арсенида галлия и эпитаксиальных структур Gai.xAlxAs 102
Выводы 106
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Картамышев Сергей Викторович
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Карцев Валерий Николаевич
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Кириллов Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Колесникова Ирина Львовна
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Запсис Константин Васильевич
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3