Введение
Глава 1. Арсенид галлия - перспективный материал для создания детекторов ионизирующих излучений .
Глава 2. Эпитаксиальные детекторы на арсениде галлия, выращенные из газовой фазы.
Параграф 2.1. Эпитаксиальные структуры GaAs, выращенные из газовой фазы в транспортной системе Ga-AsCb-H2.
Параграф 2.1.1. Слабо компенсированные детекторные GaAs структуры п-типа, полученные газофазной эпитаксией .
Параграф 2.1.2. Компенсированные детекторные GaAs структуры п-типа, полученные газофазной эпитаксией.
Параграф 2.1.3. Перекомпенсированные детекторные GaAs структуры р-типа, полученные газофазной эпитаксией.
Параграф 2.2. GaAs эпитаксиальный координатный детектор частиц.
Параграф 2.3. Эпитаксиальные GaAs детекторы, выращенные из газовой фазы и легированные хромом .
Глава 3. Эпитаксиальные детекторы на арсениде галлия, выращенные из жидкой фазы .
Параграф 3.1. Детекторные р+ - і - п+ структуры из эпитаксиального материала. Параграф 3.2 Чувствительность р+ - і - п+ структур к ионизирующему излучению.
Глава 4. Арсенид - галлиевые детекторы «ростового» материала, легированного хромом .
Параграф 4.1. Поведение и роль хрома, введенного в арсенид галлия.
Параграф 4.2. Детекторные структуры с я-v переходом на компенсированном хромом арсениде галлия .
Параграф 4.2.1. Механизм сбора заряда в я-v-n структурах.
Параграф 4.2.2. Эффективность сбора заряда в я-v-n структурах.
Параграф 4.2.3. Толщина активной области в я-v-n структурах.
Параграф 4.2.4. Время жизни носителей л-v-n структурах.
Параграф 4.2.5. Вольтамперные характеристики и темновые токи.
Параграф 4.3. Микрополосковые детекторы частиц с я-v-n структурами.
Параграф 4.4. Детекторные структуры резнстивного типа из компенсированного хромом арсенида галлия.
Параграф 4.4.1. Моделирование процессов разделения с сбора заряда.
Параграф 4.4.2. Координатные детекторы, изготовленные из материала резнстивного типа.
Глава 5. Радиационная стойкость арсенид - галлиевых детекторов ионизирующих излучений .
Параграф 5.1. Радиационные эффекты в арсениде галлия.
Параграф 5.1.1. Спектр уровней радиационных дефектов.
Параграф 5.1.2. Электрофизические характеристики.
Параграф 5.1.3. Время жизни носителей заряда.
Параграф 5.2. Экспериментальные результаты исследования радиационной стойкости.
Параграф 5.2.1. Облучение в пучках нейтронов.
Параграф 5.2.2. Облучение в пучках протонов и пионов.
Параграф 5.2.3. Обсуждение результатов облучения.
Параграф 5.3. Восстановление параметров облученных п/п GaAsдетекторов при термическом отжиге .
Заключение.
Приложение 1. Основные публикации по теме диссертации.
