Полупроводниковые излучатели для ультрафиолетовой области спектра на основе нитридов металлов третьей группы

Введение
Глава 1, Свойства, применение и особенности получения нитридов металлов третьей группы 10
1.1. Основные свойства и применение Ш-нитридов 10
1.2. Способы получения эпитаксиальных плёнок нитридов металлов третьей группы 17
Глава 2. Экспериментальные методики и постановка экспериментов 27
2.1. Конструктивные и функциональные особенности установки ЭПН-1 27
2.1.1. Структура установки ЭПН-1 27
2.1.2. Подготовка и проведение эпитаксиального роста на установке ЭПН-1 34
2.2. Конструктивные и функциональные особенности установки RIBER 32Р. 37
2.2.1. Структура установки RIBER 32Р 37
2.2.2. Особенности использования яркостного пирометра для контроля ростового процесса в молекулярно-пучковой эпитаксии 44
2.2.3. Подготовка и проведение эпитаксиалъного роста на установке RIBER 32P 50
2.2.4. Особенности использования силона для легирования Ш-нитридов кремнием в установке RIBER 32Р. 51
2.2.5. Особенности использования зффузионной ячейки в качестве источника магния 55
2.3. Измерение параметров эпитаксиальных структур 57
2.4. Постростовое технологическое оборудование и методики 61
2.4.1. Реактивное ионно-плазменное травление 61
2.4.2. Омические контакты к легированным слоям п- и р-типа проводимости 67
Глава 3. Рост полупроводниковых слоев AJN, GaN и твердых растворов на их основе методом молекулярно-пучковои эпитаксии 71
3.1. Начальная стадия эпнтаксиального роста 71
3.1.1. Эпитаксиальный рост на Si (111) 72
3.1.2. Эпитаксиальный рост на А1203 (0001) 80
3.2. Кинетика эпитаксиального роста нитридов Ш-группы.. 87
3.3. Кристаллические и оптические свойства коротко-периодных сверхрешёток AIN/AlGaN . 93
Глава 4. Получение и свойства светодиодов с излучением в УФ области на основе гетероструктур AIGaN 100
4.1. Легирование сплавов AIGaN. 100
4.1.1. Легирование слоев AlxGaj.xN кремнием в диапазоне составов 0.5бс<1.00 100
4.1.2. Легирование слоев AlxGaj xNмагнием в диапазоне составов 04.1.3. Легирование и электрические свойства короткопериодных сверхрешёток 119
4.2. Оптические и электрические свойства светодиодов, излучающих в дальней УФ области 127
4.3. Рост и оптические свойства квантовых точек AIGaN... 135
Заключение 145
Выводы 147
Список литературы 149