Введение
Глава 1. Современные квантово-размерные гетероструктуры InGaAs/(Al)GaAs и тенденции в создании инжекционных лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм на их основе 14
1.1. Конструктивные и физико-химические особенности гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs 15
1.2. Актуальность и способы повышения эффективности полупроводниковых лазеров 34
1.3. Заключение 39
Глава 2. Особенности напряженных квантово-размерных гетероструктур в системе материалов InGaAs/(AI)GaAs
2.1. Сегрегация атомов индия в условиях МОС-гидридной эпитаксии гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs 40
2.2. Критические условия на образование и распространение дислокаций несоответствия в напряженных квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs 53
2.3. Спектральные свойства напряженных квантово-размерных лазерных гетероструктур- - InGaAs/(Al)GaAs 55
2.4. Спектральные особенности полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантово-размерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs 63
2.5. Заключение 67
Глава 3. Оптимизация активной области квантово-размерных лазерных гетеро структур InGaAs/(AI)GaAs для полупроводниковых лазеров спектрального диапазона 1000-1100 нм 69
3.1. Общие принципы построения конфигурации квантово-размерной активной области лазерных гетероструктур 69
3.2. Активная область лазерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs: конфигурация квантовых ям 76
3.3. Активная область лазерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs: конфигурация ступенчатого волновода с двойным ограничением носителей 84
3.4. Заключение 87
Глава 4. Экспериментальное исследование характеристик высокоэффективных одномодовых гребневых полупроводниковых лазеров 88
4.1. Методики экспериментального исследования характеристик инжекционных полупроводниковых лазеров 89
4.2. Оптимизация активного элемента одномодовых гребневых полупроводниковых лазеров с длиной волны 1060-1070 нм 94
4.3. Исследование основных характеристик высокоэффективных одномодовых гребневых полупроводниковых лазеров с длиной волны 1060-1070 нм 102
4.4. Заключение 109
Выводы и заключение ПО
Литература 112
