Введение
ГЛАВА 1
Направления развития высокочастотных источников питания для установок индукционного нагрева .13
1.1 Анализ выпускаемых высокочастотных преобразователей для электротехнологий, собранных на транзисторных модулях типа IGBT и MOSFET 13
1.2 Особенности индукционной нагрузки 22
1.3 Структура установок индукционного нагрева 27
1.4 Сравнительный анализ схем транзисторных инверторов для установок индукционного нагрева 29
1.4.1 Параллельный резонансный инвертор тока 29
1.4.2 Последовательный резонансный инвертор напряжения 32
ГЛАВА 2
Структура и принцип построения полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 38
2.1 Требования, предъявляемые к построению преобразователя для установок индукционного нагрева 38
2.2 Структура и принцип построения силовой части полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 42
2.3 Структура и принцип построения системы управления полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 47
2.4 Выводы по главе 2 53
ГЛАВА 3
Имитационное моделирование полупроводникового преобразователя комбинированной структуры и анализ его работы 54
3.1 Разработка имитационной модели силовой части полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 54
3.2 Разработка имитационной модели системы управления полупроводниковым преобразователем комбинированной структуры 55
3.3 Построение и функционирование отдельных узлов имитационной модели системы управления 60
3.4 Имитационная модель силовой части полупроводникового преобразователя комбинированной структуры и анализ его работы в режиме стабилизации выходного напряжения 71
3.5 Исследование и анализ работы полупроводникового преобразоаптеля комбинированной структуры при изменении параметров нагрузки за время технологического цикла 82
3.6 Выводы по главе 3 89
ГЛАВА 4
Разработка математической модели и анализ энергоэффективности полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 90
4.1 Методика определения энергоэффективности полупроводникового преобразователя комбинированной структуры от применения LCD снаббера с учетом режима работы и параметров IGBT модулей 90
4.1.1 Определение зависимости энергетических показателей силовых элементов импульсных преобразователей от режимов протекания тока накопительной индуктивности 90
4.1.2 Определение зависимости потерь энергии в силовых ключах импульсных преобразователей от пульсаций тока накопительной индуктивности и частоты коммутации 100 4.1.3 Сравнительная оценка эффективности различных типов IGBT
4.1.4 Определение зависимости потерь энергии в пассивных элементах импульсных преобразователей от пульсаций тока накопительной индуктивности и частоты коммутации
4.2 Математическая модель полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 121
4.3 Оптимизация по энергетическим и массогабаритным показателям преобразователя комбинированной структуры
4.3.1 Определение мощности потерь в основных элементах преобразователя комбинированной структуры 131
4.3.2 Температурное моделирование структуры транзисторного 136
4.4 Выводы по главе 4 144
ГЛАВА 5
Экспериментальные исследования эффективности полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 147
5.1 Разработка экспериментального образца полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 147
5.2 Экспериментальные исследования работы полупроводникового преобразователя комбинированной структуры 153
5.3 Выводы по главе 5 167
Заключение 169
Список сокращений и условных обозначений 172
Список литературы .
