Введение
ГЛАВА 1 Литературный обзор 10
1.1 Введение 10
1.2 Пористый карбид кремния (ПКК) на основе SiC -типа проводимости - формирование, структурные и электрические свойства 11
1.3 ПКК на основе эпитаксиальных слоев и-типа проводимости 19
1.4 Оптические свойства ПКК «-типа проводимости 20
ГЛАВА 2 Методика экспериментов 27
2.1 Получение пористых SiC и GaN 27
2.2 Исследование ПКК и пористых структур GaN/SiC 32
2.3 Эпитаксиальное наращивание 38
ГЛАВА 3 Получение и свойства пористого карбида кремния
3.1 Получение пористого карбида кремния 40
3.1.1 Особенности формирования микропористого карбида кремния 49
3.2 Модификация структуры пористого карбида кремния 52
3.3 К вопросу о роли вакансий в образовании пор при анодизации SiC 59
3.4 Оптические свойства пористого карбида кремния 69
3.5 Электрические свойства пористого карбида кремния 71
3.6 Дрейфовая подвижность носителей заряда в ПКК 79
ГЛАВА 4 Применение пористого карбида кремния 85
4.1 Применение ПКК в качестве подложек для выращивания ЭС SiC и GaN с улучшенными свойствами 85
4.1.1 Снижение плотности дислокаций в ЭС SiC при использовании буферных слоев ПКК 85
4.1.2 Снижение плотности дислокаций в ЭС GaN при использовании буферных слоев ПКК 96
4.2 Формирование полуизолирующих слоев SiC на основе ПКК 106
4.2.1 Создание полуизолирующих слоев SiC легированием ПКК кремнием 108
4.2.2 Создание полуизолирующих слоев SiC легированием ПКК ванадием 117
4.3 Автолегирование эпитаксиальных слоев GaN, выращиваемых на подложках ПКК 121
ГЛАВА 5 Получение, свойства и применение пористых структур gan/sic 127
5.1 Получение пористого GaN 127
5.2 Исследование пористых подложек GaN/SiC 131
5.3 Использование пористых подложек GaN/SiC для гомоэпитаксии нитрида галлия 138
5.4 Фотопроводимость пористых структур GaN/SiC 142
Заключение 157
Список работ, опубликованных по теме диссертации 160
Литература 163
