Введение
1. Литературный обзор 9
1.1. Методы синтеза ВТСП материалов 9
1.2. Методы синтеза керамики Bi2Sr2CaCu208+x 15
1.3. Общий обзор используемых методов получения ВТСП пленок 24
1.4. Выводы 41
2. Процессы формирования высокотемпературных сверхпроводниковых толстых пленок 43
2.1. Экспериментальное определение пространственного распределения критических параметров в ВТСП пленке ВігЗггСаСіїгОз+х 43
2.1.1. Подготовка ВТСП пасты 43
2.1.2. Термическая обработка образцов 44
2.1.3. Исследование образцов 45
2.1.4. Послойное исследование материала покрытия 52
2.1.3. Выводы 57
2.2. Физико-химические процессы синтеза ВТСП толстой пленки в области контакта пленка-подложка 58
2.2.1. Приготовление образцов
2.2.2. Исследование образцов 59
2.2.3. Метод повышения качества ВТСП покрытия 62
2.2.4. Выводы 65
3. Процессы формирования подложек 66
3.1. Пол и кристаллические подложки MgO 66
3.1.1. Приготовление образцов 67
3.1.2. Исследование образцов. Оптимизация технологического процесса изготовления поликристаллических подложек из MgO 69
3.1.3. Выводы 76
3.2. Металлокерамические подложки 76
3.2.1. Методика получения образцов 77
3.2.2. Содержание серебра в образцах 79
3.2.3. Выделение серебра из образцов 84
3.2.4. Электропроводность материала образцов 85
3.2.5. Обсуждение и выводы 86
3.3. Формирование подложек из YsBaCuOs 87
4. ВТСП толстопленочные элементы криоэлектроники 89
4.1. Составные ВТСП магнитные экраны 89
4.1.1. Объемный составной магнитный ВТСП экран 89
4.1.2. Пленочный составной ВТСП экран 101
4.2. Ограничители тока 104
4.2.1. Индуктивный токоограничитель с составным объемным ВТСП — экраном 104
4.2.2. Исследование влияния раздвижения колец на ВАХ 111
4.2.3. Алгоритм вычисления магнитного поля в токоограничителе с составным ВТСП - экраном 112
4.2.4. Выводы 119
4.2.1. Индуктивный токоограничитель с составным пленочным ВТСП —экраном 120
4.3. ВТСП толстопленочные элементы схем 121
Заключение 122
Список литературы 124
