Введение
1. Современные средства автоматизированного проектирования электронной компонентной базы космического назначения, выполненных по глубоко субмикронным технологиям 10
1.1. Анализ состояния и развития современной электронной компонентной базы космического назначения 10
1.2. Основные факторы космического пространства и физические явления в электронной компонентной базе, выполненных по глубоко субмикронным технологиям 16
Выводы 41
2. Разработка методики проектирования и математического обеспечения для моделирования воздействия на схемотехническом уровне проектирования 43
2.1. Методика проектирования современной электронной компонентой базы специального назначения с учетом одиночных событий радиационного характера 43
2.2. Моделирование воздействия ТЗЧ в активных областях элементов микросхем при проектировании 48
2.3. Математические соотношения для тока ионизации, соответствующие глубоко-субмикронным технологиям 54
В ывод ы 61
3. Моделирование одиночных событий на различных уровнях проектирования и алгоритмическая основа определения стойкости к ТЗЧ 63
3.1. Моделирование работы элементов СБИС на схемотехническом уровне при воздействии ТЗЧ 63
3.2. Моделирование работы СБИС на функционально-логическом уровне 68
3.3. Алгоритмическая основа моделирования отказов на глубоко-субмикронных технологий 80
Выводы 84
4. Результаты внедрения и оценка адекватности и эффективности разработанных программных средств 86
4.1. Особенности разработанного программного обеспечения и его внедрение в САПР сквозного проектирования 86
4.2. Методика моделирования работы СБИС на функционально-логическом уровне 89
4.3. Внедрение предложенных средств и оценка адекватности моделей 95
Выводы 98
