Введение
1. Современные средства автоматизированного проектирования изделий электронной компонентной базы и их возможности по учету влияния космического излучения 10
1.1. Виды ионизирующих излучений в космическом пространстве и эффекты радиационного воздействия в комплементарных микросхемах 10
1.1.1. Внешние воздействующие факторы космического пространства 10
1.1.2. Источники ионизирующих излучений в космическом пространстве 13
1.1.3. Радиационные эффекты в КМОП микросхемах 16
1.2. Анализ текущего состояния средств автоматизации проектирования электронной компонентной базы космического назначения 20
1.3. Аспекты моделирования воздействия излучения космического пространства на электронную компонентную базу базу. Постановка задачи 26
Выводы 36
2. Структура, методика программного обеспечения и обоснование типовых конструкций базовых элементов при моделировании радиационных эффектов воздействия факторов космического пространства в сапр для сквозного проектирования КМОП СБИС 37
2.1. Методика автоматизированного проектирования изделий электронной компонентной базы стойкой к воздействию излучения космического пространства 37
2.2. Структура проблемно-ориентированного программного обеспечения 49
2.3. Выбор критериальных параметров к гамма-излучению 58
2.4. Расчет поглощенной дозы при воздействии ионизирующего излучения космического пространства 66
Выводы 70
3. Моделирование интегральных ионизационных эффектов в кмоп-интегральных схемах в сапр сквозного проектирования 72
3.1. Моделирование накопления дозы в МОП - транзисторе при воздействии космического излучения низкой интенсивности 72
3.1.1. Методология моделирования процесса радиационно индуцированного накопления заряда в структуре диэлектрика МОП транзистора с учетом влияния полевого окисла 72
3.1.2. Моделирование процесса накопления заряда в области подзатворного диэлектрика транзистора 75
3.1.3. Процесс радиационно-индуцированное накопление заряда в подзатворном диэлектрике МОП-структуры при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения 80
3.1.4. Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействии 84
3.1.5. Моделирование процесса накопления поверхностных состояний 85
3.2. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства 89
3.3. Алгоритмическая основа расчета стойкости КМОП СБИС при воздействии факторов космического
пространства 99
Выводы 106
4. Особенности структуры, интеграции в систему сквозного проектирования и эксплуатации разработанных средств САПР 107
4.1. Структура, особенности построения разработанных средств и их интеграция в САПР для сквозного проектирования интегральных микросхем 107
4.2. Оценка точности и эффективности разработанных средств САПР 114
4.3. Методическое обеспечение и результаты внедрения 122
Выводы 139
Заключение 140
Список используемых источников
