Введение
Глава 1. Теоретическое обоснование метода Z-контраста 12
1.1. Элементный анализ методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии в просвечивающей электронной микроскопии 12
1.2. Влияние атомного рассеивания на формирование Z-контраста в сканирующей просвечивающей электронной микроскопии 20
1.3. Формирование контраста на снимках сканирующей просвечивающей электронной микроскопии 24
Глава 2. Метод построения профиля распределения элементного состава методом Z-контраста и сопоставление с методом ЭДС 32
2.1 Описание просвечивающего электронного микроскопа JEM 2100F (JEOL) 33
2.2. Подготовка структур к исследованию поперечного среза 38
2.3. Методика построения профиля распределения элементного состава по Z-контрасту на примере сверхрешетки AlGaAs/GaAs 41
2.4. Сопоставление профилей Z-контраста и результатов ЭДС-анализа 48
Глава 3. Исследование состава гетеронаноструктур на основе полупроводников А3В5
3.1. Определение пространственного разрешения метода профилирования элементного состава по Z-контрасту на примере сверхрешетки AlGaAs/GaAs. 53
3.2. Сопоставление геометрических параметров сверхрешетки AlGaAs/GaAs с результатами измерений их фотолюминесценции 59
3.3. Сопоставление измерений элементного состава методом Z-контраста с результатами моделирования методом Монте-Карло на примере сверхрешеток InGaAs/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами 64
3.4. Исследование профиля распределения элементного состава сверхрешеток InGaAs/GaAs со сложным периодом 68
3.5. Исследование гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb 77
3.6. Профилирование Z-контраста при исследовании полей упругих
деформаций в гетеронаноструктурах на основе полупроводников A3B5 82
Глава 4. Исследование токопроводящих филаментов в мемристорах на основе стабилизированный иттрием диоксид циркония, подвергнутых электроформовке
Выводы 105
Заключение 106
Список используемой литературы 107
