Введение
Глава I. Транспорт в слабых электрических полях 8
1. Квантовые поправки 8
2. Прыжковая проводимость 23
Глава II. Неомическая проводимость 31
1, Зависимость проводимости от напряженности электрического поля при диффузионной проводимости 31
2. Неомическая прыжковая проводимость 38
Глава III. Методика эксперимента 43
1 Установка для исследования гальваномагнитных явлений в стационарных магнитных полях 49
Глава IV. Гальваномагнитные явления в двумерных структурах GaAs/InGaAs/GaAs 57
1. Слабая локализация дри величине kfl>3-4 57
2. Слабая локализация при величине kvl-2-З 68
3. Слабая локализация при величине k^t > 1 81
Глава V. Неомическая проводимость 93
1. Разогрев носителей при проводимости больше е /h 93
2. Неомическая проводимость при величине проводимости меньше є Лі 105
Заключение И 7
Литература 122
