Введение
1 Радиаігионно-физические процессы в gan под воздействием различных видов ионизирующего излучения. ядерное легирование 11
1.1 Радиационно-физические процессы в GaN под воздействием различных видов ионизирующего излучения 11
1.2 Ядерное легирование полупроводников 19
2 Методика эксперимента 23
2.1 Методика измерения электрофизических свойств тонкопленочных образцов.1 нитрида галлия 23
2.1.1 Цель измерений 23
2.1.2 Сущность метода измерений 23
2.1.3.Оцениваемые характеристики и нормы для показателей точности 27
2.1.4 Операции подготовки к измерениям 27
2.1.5 Порядок проведения измерения удельного электрического сопротивления, концентрации и подвижности основных носителей заряда на установке "HMS 3000" 28
2.1.1 Измерение удельного электрического сопротивления высокоомных образцов GaN двухконтактным методом с помощью электрометра 31
2.2 Методика измерения структурных свойств тонкопленочных образцов нитрида галлия 34
2.2.1 Выбор условий рентгенографического эксперимента 34
2.2.2 Приготовление образцов. Проведение рентгенографических съемок 38
2.2.3 Расчет параметров элементарных ячеек кристаллов 40
2.3 Методика измерения емкостных параметров и спектров глубоких уровней тонкопленочных образцов нитрида галлия 44
2.3.1 Общее описание прибора 47
2.3.2 Краткое описание модулей 48
2.3.3 Главное окно программы 49
2.3.4 Основные характеристики емкостного (DLTS) спектрометра 50
3 Проведение расчета количества первичных радиационных дефектов, образующихся в gan при облучении в реакторе ВВР 52
3.1 Быстрые нейтроны 52
3.2 Тепловые нейтроны 55
3.3 Гамма-излучение реактора 58
3.4 Полное число смещенных атомов 63
4 Электрофизические характеристики 65
4.1 Зависимость электрофизических параметров монокристаллов GaN от флюенса полного спектра реакторных нейтронов и температуры отжига 65
4.1.1 Ядерное легирование 73
4.2 Зависимость электрофизических параметров монокристаллов GaN от дозы электронного облучения и температуры отжига 76
5 Структурные характеристики 85
5.1 Зависимость параметров элементарной ячейки GaN от флюенса полного спектра реакторных нейтронов и температуры отжига 85
6 Емкостные параметры и спектры глубоких уровней образцов GaN 92
6.1 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры отжига на емкостные параметры нитрида галлия 92
6.2 Влияние облучения высокоэнергетическими электронами и температуры отжига на емкостные параметры нитрида галлия 96
7 Элементы технологии 107
7.1 Характеристики исходного сырья 107
7.2 Подготовка образцов к облучению 107
7.3 Упаковка и загрузка образцов в облучательное устройство 108
7.4 Облучение образцов в реакторе ВВР-ц 110
7.5 Разампулировка блок-контейнеров изыгрузка образцов 115
7.6 Дезактивация облученных образцов 115
7.7 Дозиметрический контроль 116
7.8 Подготовка облученных образцов к отжигу 116
7.9 Отжиг 117
7.10 Измерение электрофизических параметров 117
Заключение 118
