Введение
ГЛАВА I. Общая теория рассеяния света носителями тока в полупроводниках 8
1.1. Классическая теория рассеяния света свободными носителями 8
1.2. Квантовая теория рассеяния: света свободными носителями тока. Вырожденные зоны 17
ГЛАВА II. Метод инварангов в теории рассеяния света .23
2.1. Основная формула 23
2.2. Интегральное сечение рассеяния 26
2.3. Дифференциальное сечение рассеяния 29
2.4. Неэкранируемые механизмы одночастичного рассеяния света свободными носителями тока в полупроводниках со сложной зонной структурой . 33
ГЛАВА III. Влияние крупномасштабных флуктуации потенциала легирующей примеси на электронное рассеяние света в сильно легированных полупроводниках 10
3.1. Анализ частотной зависимости на основании законов сохранения 40
3.2. Выбор механизма рассеяния 41
3.3. Электронные состояния в сильно легированном полупроводнике 45
3.4. Сечение рассеяния света с учётом крупномасштабных флуктуации потенциала легирующей примеси 50
ГЛАВА ІV. Контролируемое столкновениями рассеяние света в многодожнных полупроводниках и влияние на него одноосной деформации кристалла : 54
4.1. Расчёт сечения рассеяния света на однородных междолинных флуктуация носителей тока 54
4.2. Определение некоторых параметров многодолинных полупроводников по спектрам комбинационного рассеяния света 59
4.3. Влияние одноосной деформации образца на электронное рассеяние света в сильно легированном кремнии 60
4.4. О немонотонной зависимости ширины спектра электронного рассеяния света от концентрации легирующей примеси в сильно легированных полупроводниках 68
ГЛАВА V. Рассеяние света свободными дырками в полупроводниках с валентной зоной симметрии lg 72
5.1. Кинетическая теория рассеяния света на носителях тока, описываемых матричным гамильтонианом 72
5.2. О новом механизме рассеяния света свободными носителями тока 83
5.3. Влияние экранирования на дифференциальное сечение рассеяния света 89
5.4. Бесстолкновительный случай . 92
5.5. Случай частых столкновений 100
Основные выводы 106
Литература 108
